Merkmale
Niedriges Vc(gesetzt) Graben - Ich weiß. Technologie
10 μs Kurzschluss-Kapazität- die
vc(gesetzt) mit positiv Temperatur Koeffizient
maximal Junction-Temperatur 175oc
Niedrige Induktivität Fall
Schnelle & sanfte Rückwärtsregeneration FWD gegen Parallel
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
typisch Anwendungen
Inverter für Motoren dRüben
AC und DC Züge Fahren Verstärker
Ununterbrochene KraftR Versorgung
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1700 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
396 225 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp= 1 ms |
450 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc |
1530 |
w |
Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1700 |
v |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
225 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
450 |
a) |
Modul
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
|
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
oc |
|
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
oc |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=225A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.85 |
2.20 |
v |
|
Ichc=225A,VGE=15V, tj=125oc |
|
2.25 |
|
|||
|
Ichc=225A,VGE=15V, tj=150oc |
|
2.35 |
|
|||
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc=9.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
2.8 |
|
Oh |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
27.1 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.66 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
vGE=- 15…+15V |
|
2.12 |
|
μC |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=225A,- Das ist nicht wahr.RGon=3.3Ω,RGoff=6.2Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
|
187 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
76 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
587 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
350 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
56.1 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
52.3 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=225A,- Das ist nicht wahr.RGon=3.3Ω,RGoff=6.2Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
|
200 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
85 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
693 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
662 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
75.9 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
80.9 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=225A,- Das ist nicht wahr.RGon=3.3Ω,RGoff=6.2Ω, vGE=±15V, tj= 150oc |
|
208 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
90 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
704 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
744 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
82.8 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
87.7 |
|
m |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V |
|
900 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=225A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.80 |
2.25 |
v |
|
Ichf=225A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.90 |
|
|||
|
Ichf=225A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.95 |
|
|||
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc |
|
63.0 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
352 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
37.4 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VGE=- 15 Vtj=125oc |
|
107 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
394 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
71.0 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VGE=- 15 Vtj=150oc |
|
121 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
385 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
82.8 |
|
m |
NTC Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
R25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
ΔR/R |
Abweichung von R100 |
tc= 100 oC, R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
Leistung Ablösung |
|
|
|
20.0 |
m |
|
b25/50 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
|
b25/80 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
|
b25/100 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
20 |
|
- Nein. |
|
RCC’+EE’ |
ModulleiterwiderstandTerminal an Chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
|
RthJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) Junction-to-Case (pro Diode) |
|
|
0.098 0.158 |
K/W |
|
RthCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
|
0.029 0.047 0.009 |
|
K/W |
|
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
n.m. |
|
G |
Gewicht von Modul |
|
350 |
|
G |
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