GD225HFX120C6S, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 225A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =195 O C	338 225	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	450	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C	1071	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1200	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	225	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	450	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =225A,V GE =15V, t j =25 O C		1.75	2.20	V
		I C =225A,V GE =15V, t j =125 O C		2.00
		I C =225A,V GE =15V, t j =150 O C		2.05
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =8.16 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerst and			0.7		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		23.3		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.65		NF
Q g	Gate-Ladung	V GE =-15 ...+15V		1.75		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =225A, R g =1,6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		136		NS
t R	Aufstiegszeit			34		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			372		NS
t F	Herbstzeit			69		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			5.78		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			16.7		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =225A, R g =1,6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		145		NS
t R	Aufstiegszeit			34		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			461		NS
t F	Herbstzeit			88		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			10.6		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			26.0		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =225A, R g =1,6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		153		NS
t R	Aufstiegszeit			34		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			490		NS
t F	Herbstzeit			98		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			12.8		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			28.9		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		900		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =225A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j =25 O C		25.9		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			345		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			11.8		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j =125 O C		49.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			368		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			21.6		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j =150 O C		56.4		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			391		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			24.5		mJ

NTC Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		20		nH
R CC’+EE’	Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip		1.10		mΩ
R thJC	Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.140 0.203	K/W
R thCH	Fall -Um -Heizkessel (proIGBT ) Gehäuse-Heatsink (pro Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)		0.030 0.044 0.009		K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Gewicht von Modul		350		g