GD200TLQ120L3S, IGBT-Modul, 3-Ebenen, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

339

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p = 1 ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

1456

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

75

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p = 1 ms

150

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

650

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 95 o C

158

100

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p = 1 ms

200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

441

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

650

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

100

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p = 1 ms

200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =25 o C

1.40

1.85

V

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =125 o C

1.65

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =150 o C

1.70

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

3.8

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.58

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

1.56

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

142

nS

t r

Aufstiegszeit

25

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

352

nS

t f

Herbstzeit

33

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.21

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

3.90

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

155

nS

t r

Aufstiegszeit

29

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

440

nS

t f

Herbstzeit

61

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.02

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

5.83

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

nS

t r

Aufstiegszeit

30

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

462

nS

t f

Herbstzeit

66

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.24

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

6.49

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 75A,V GE =0V,T j =25 o C

1.70

2.15

V

I F = 75A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

I F = 75A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

8.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

122

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.91

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

17.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

143

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.72

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

19.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

152

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.30

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =25 o C

1.45

1.90

V

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =125 o C

1.60

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =150 o C

1.70

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 1.60mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

11.6

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.23

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

0.69

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 100A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

44

nS

t r

Aufstiegszeit

20

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

200

nS

t f

Herbstzeit

28

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.48

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.48

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 100A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

48

nS

t r

Aufstiegszeit

24

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

216

nS

t f

Herbstzeit

40

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.24

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

3.28

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 100A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

52

nS

t r

Aufstiegszeit

24

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

224

nS

t f

Herbstzeit

48

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.64

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

3.68

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs,V GE = 15 V,

T j =150 o C,V CC =360V, V CEM ≤ 650 V

500

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 100A,V GE =0V,T j =25 o C

1.55

2.00

V

I F = 100A,V GE =0V,T j = 125o C

1.50

I F = 100A,V GE =0V,T j = 150o C

1.45

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

3.57

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

99

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.04

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

6.49

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

110

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.70

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

7.04

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

110

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.81

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung von R 100

T C = 100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction-to-Case (per T1, T4 IGBT)

Verbindungshalter bis Gehäuse (pro D1,D4 Dio de)

Verbindungshalter bis Gehäuse (pro T2, T3 IGBT)

Junction-to-Case (pro D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T1,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (pro D1,D4 DIODE)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T2,T3 IGBT)

Case-to-Heatsink (pro D2,D3 DIODE)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Montagekraft pro Klammer

40

80

N

G

Gewicht von Modul

39

g