IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

339

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

1456

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

75

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P = 1 ms

150

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

650

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 95 O C

158

100

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

441

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

650

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

100

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P = 1 ms

200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =25 O C

1.40

1.85

v

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =125 O C

1.65

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =150 O C

1.70

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =5.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

3.8

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

20.7

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.58

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

1.56

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 100A, r g = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

142

NS

t r

Aufstiegszeit

25

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

352

NS

t F

Herbstzeit

33

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.21

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

3.90

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 100A, r g = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

155

NS

t r

Aufstiegszeit

29

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

440

NS

t F

Herbstzeit

61

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.02

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

5.83

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 100A, r g = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

161

NS

t r

Aufstiegszeit

30

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

462

NS

t F

Herbstzeit

66

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.24

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

6.49

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, v CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 75A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

v

I F = 75A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F = 75A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

8.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

122

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.91

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

17.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

143

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.72

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

19.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

152

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.30

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =25 O C

1.45

1.90

v

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =125 O C

1.60

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =150 O C

1.70

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 1.60mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

2.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

11.6

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.23

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

0.69

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 100A, r g =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

44

NS

t r

Aufstiegszeit

20

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

200

NS

t F

Herbstzeit

28

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.48

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.48

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 100A, r g =3.3Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

48

NS

t r

Aufstiegszeit

24

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

216

NS

t F

Herbstzeit

40

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.24

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

3.28

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 100A, r g =3.3Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

52

NS

t r

Aufstiegszeit

24

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

224

NS

t F

Herbstzeit

48

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.64

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

3.68

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs,V GE = 15 V,

t j =150 O C,V CC =360V, v CEM ≤ 650 V

500

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

v

I F = 100A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

I F = 100A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

3.57

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

99

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.04

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

6.49

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

110

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.70

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

7.04

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

110

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.81

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von r 100

t C = 100 O C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r thJC

Junction-to-Case (per T1, T4 IGBT)

Verbindungshalter bis Gehäuse (pro D1,D4 Dio de)

Verbindungshalter bis Gehäuse (pro T2, T3 IGBT)

Junction-to-Case (pro D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T1,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (pro D1,D4 DIODE)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T2,T3 IGBT)

Case-to-Heatsink (pro D2,D3 DIODE)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Montagekraft pro Klammer

40

80

n

g

Gewicht von Modul

39

g