GD200SGU120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Funktionen

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Beschreibung	GD200SGU120C2S	Einheiten
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃	320 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1 ms	400	Ein
I F	Diode Dauerstrom @ T C =80 ℃	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =1 50℃	1645	W
T jmax	Maximale Junction-Temperatur	150	℃
T Stg	Lagertemperatur Reichweite	-40 bis +125	℃
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montage Drehmoment	Signalanschluss Schraube:M4	1.1 bis 2.0
	Schraube für die Antriebsspitze:M6	2,5 bis 5.0	N.M
	Montageschraube:M6	3,0 bis 5.0

Elektrische Eigenschaften von IGBT T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
V (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	T j =25 ℃	1200			V
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃			400	nA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, T j =25 ℃		3.10	3.55	V
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, T j =125 ℃		3.45		V

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 ℃		577		nS
t r	Aufstiegszeit			120		nS
t d (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			540		nS
t f	Herbstzeit			123		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			16.3		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			12.0		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =125 ℃		609		nS
t r	Aufstiegszeit			121		nS
t d (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			574		nS
t f	Herbstzeit			132		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			22.0		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			16.2		mJ
C ies	Eingangskapazität	V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V		16.9		nF
C - Die	Ausgangskapazität			1.51		nF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.61		nF
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15 V, T j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V		1800		Ein
L CE	Streuinduktivität				20	nH
R CC’+EE’	Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip			0.18		mΩ

Elektrische Eigenschaften von Diode T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	T j =25 ℃		1.82	2.25	V
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A	T j =125 ℃		1.92		V
Q r	Wiederhergestellt Ladevorgang	I F =200A, V R =600V, R G = 4,7Ω, V GE =-15V	T j =25 ℃		13.1		μC
Q r	Wiederhergestellt Ladevorgang		T j =125 ℃		26.1		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		T j =25 ℃		123		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		T j =125 ℃		172		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		T j =25 ℃		7.0		mJ
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		T j =125 ℃		12.9		mJ

Thermische Eigenschaften ics

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
R θ JC	Junction-to-Case (pro IGB T)		0.076	K/W
R θ JC	Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel		0.128	K/W
R θ CS	Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)	0.035		K/W
Gewicht	Gewicht Modul	300		g