GD200HFX120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C =90 o C

297

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

937

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.75

2.20

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C

2.00

I C =200A,V GE =15V, T j =150 o C

2.05

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

18.6

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.52

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

1.40

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

120

nS

t r

Aufstiegszeit

26

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

313

nS

t f

Herbstzeit

88

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

8.96

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

10.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

129

nS

t r

Aufstiegszeit

30

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

391

nS

t f

Herbstzeit

157

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

15.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

16.1

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

129

nS

t r

Aufstiegszeit

34

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

411

nS

t f

Herbstzeit

175

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

17.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

18.1

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

720

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

2.15

V

I F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

I F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

18.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

239

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.08

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

33.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

250

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

38.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

259

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.160

0.206

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.036

0.046

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g