IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =65 O C

262

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =150 O C

1315

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

400

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

3.00

3.45

v

I C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

3.80

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =2.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

4.5

5.4

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.3

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

13.0

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.85

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

2.10

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

87

NS

t r

Aufstiegszeit

40

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

451

NS

t F

Herbstzeit

63

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

6.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.9

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

88

NS

t r

Aufstiegszeit

44

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

483

NS

t F

Herbstzeit

78

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

11.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

13.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1300

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

v

I F =200A,V GE =0V,T j =125 O C

2.00

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

13.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

236

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

23.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

269

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.095

0.202

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.029

0.063

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g