GD200FFY120C6S, IGBT-Modul, STARPOWER

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Funktionen

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C = 100o C	309 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T =175 o C	1006	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1200	V
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	400	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
T jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	o C
T - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	o C
T Stg	Lagertemperatur Reichweite	-40 bis +125	o C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V
		I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C		1.95
		I C =200A,V GE =15V, T j =150 o C		2.00
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interner Gate-Widerst and			4.0		ω
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C		150		nS
t r	Aufstiegszeit			32		nS
t d (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			330		nS
t f	Herbstzeit			93		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			11.2		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			11.3		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C		161		nS
t r	Aufstiegszeit			37		nS
t d (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			412		nS
t f	Herbstzeit			165		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			19.8		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			17.0		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C		161		nS
t r	Aufstiegszeit			43		nS
t d (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			433		nS
t f	Herbstzeit			185		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			21.9		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			19.1		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V		800		Ein

Diode Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		I F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		I F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C		17.6		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			228		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			7.7		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C		31.8		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			238		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			13.8		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C		36.6		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			247		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			15.2		mJ

NTC Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Modul Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		21		nH
R CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip		1.80		mΩ
R thJC	Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.149 0.206	K/W
R thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch		0.031 0.043 0.009		K/W
M	Montageschraube:M6	3.0		6.0	N.M
G	Gewicht von Modul		300		g