GD200FFY120C6S, IGBT-Modul, STARPOWER

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1200V 200A.

Merkmale

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	v
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C = 100O C	309 200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C	1006	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1200	v
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	400	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	O C
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	v

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	v
		I C =200A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		I C =200A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =5.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C	5.2	6.0	6.8	v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interner Gate-Widerst and			4.0		Ω
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		150		NS
t r	Aufstiegszeit			32		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			330		NS
t F	Herbstzeit			93		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			11.2		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			11.3		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C		161		NS
t r	Aufstiegszeit			37		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			412		NS
t F	Herbstzeit			165		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			19.8		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			17.0		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 150O C		161		NS
t r	Aufstiegszeit			43		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			433		NS
t F	Herbstzeit			185		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			21.9		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			19.1		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		800		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C		1.65	2.10	v
		I F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		I F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C		17.6		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			228		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			7.7		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C		31.8		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			238		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			13.8		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C		36.6		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			247		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			15.2		mJ

NTC Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		21		nH
r CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip		1.80		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.149 0.206	K/W
r thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch		0.031 0.043 0.009		K/W
m	Montageschraube:M6	3.0		6.0	N.M
g	Gewicht von Modul		300		g