GD200CEX120C8SN, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

363

200

Ein

I CRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp Begrenzt von t vjop

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

1293

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom ent

200

Ein

I FRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp Begrenzt von t vjop

400

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =200A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.00

I C =200A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.05

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =8.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

18.6

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.52

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj =25 O C

140

NS

t R

Aufstiegszeit

31

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

239

NS

t F

Herbstzeit

188

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

13.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj =125 O C

146

NS

t R

Aufstiegszeit

36

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

284

NS

t F

Herbstzeit

284

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

18.9

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj =150 O C

148

NS

t R

Aufstiegszeit

37

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

294

NS

t F

Herbstzeit

303

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

21.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

19.8

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =200A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =200A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F =200A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj =25 O C

20.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

220

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.5

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj =125 O C

34.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

209

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

12.9

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj =150 O C

38.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

204

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.116 0.185

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.150 0.239 0.046

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

g

Gewicht von Modul

200

g