IGBT-Modul, 1200A 1600A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Beschreibung |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Einheiten |
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
Ichc |
Sammler-Strom @tc=25°C @ Tc=80°C |
2600 1600 |
a) |
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp= 1m |
3200 |
a) |
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent @ Tc=80°C |
1600 |
a) |
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
3200 |
a) |
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj= 175°C |
8.43 |
kW |
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
°C |
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
°C |
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
Montage Drehmoment |
Signalterminal-Schraube:M4 |
1.8 bis 2.1 |
|
Leistungsanschluss-Schraube:M8 |
8.0 bis 10 |
n.m. |
|
Montageschraube:M6 |
4.25 bis 5.75 |
|
elektrische Eigenschaften von - Ich weiß. tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Ausschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
v(Br)CES |
Kollektor-Emitter Abbruchspannung |
tj=25°C |
1200 |
|
|
v |
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C |
|
|
400 |
- Nein. |
Einschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc=64- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc= 1600A,VGE=15V, tj=25°C |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Ichc= 1600A,VGE=15V, tj=125°C |
|
2.00 |
|
Schaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic=1600A,- Ich weiß. RGon=1.6Ω,RGoff=0.2Ω, vGE=±15V,Tj=25°C |
|
601 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
225 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
830 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
155 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
- Ich weiß. |
|
m |
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
- Ich weiß. |
|
m |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 1600A,- Ich weiß. RGon=1.6Ω,RGoff=0.2Ω,vGE=±15V,Tj=125°C |
|
665 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
225 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
970 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
180 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
326 |
|
m |
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
251 |
|
m |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
115 |
|
NF |
c- Die |
Ausgangskapazität |
|
6.03 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
5.23 |
|
NF |
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15 v, tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V |
|
6400 |
|
a) |
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.6 |
|
Oh |
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
|
15 |
|
- Nein. |
RCC’+EE’ |
Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.10 |
|
mΩ |
elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf= 1600A |
tj=25°C |
|
1.65 |
2.05 |
v |
tj=125°C |
|
1.65 |
|
||||
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
Ichf= 1600A, vR=600V, RG=0.45Ω, vGE=-15V |
tj=25°C |
|
160 |
|
μC |
tj=125°C |
|
300 |
|
||||
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
tj=25°C |
|
1100 |
|
a) |
|
tj=125°C |
|
1400 |
|
||||
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
tj=25°C |
|
72 |
|
m |
|
tj=125°C |
|
136 |
|
Thermische EigenschaftenIcs
Symbol |
Parameter |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
RθJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) |
|
17.8 |
K/kW |
RθJC |
Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
31.0 |
K/kW |
Rθcss |
Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen) |
6 |
|
K/kW |
Gewicht |
Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul |
1500 |
|
G |
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