GD150HFX170C1S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

229

150

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

300

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

815

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1700

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

300

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =150A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.30

V

I C =150A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

I C =150A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =6.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

5.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

18.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.44

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, L s =70 nH , t j =25 O C

303

NS

t R

Aufstiegszeit

75

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

417

NS

t F

Herbstzeit

352

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

42.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

25.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, L s =70 nH ,t j =125 O C

323

NS

t R

Aufstiegszeit

88

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

479

NS

t F

Herbstzeit

509

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

58.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

34.9

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, L s =70 nH ,t j =150 O C

327

NS

t R

Aufstiegszeit

90

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

498

NS

t F

Herbstzeit

608

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

65.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

40.2

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =150A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

I F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE =-15V L s =70 nH , t j =25 O C

26.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

131

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

21.6

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE =-15V L s =70nH, T j =125 O C

48.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

140

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

40.1

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE =-15V L s =70nH, T j =150 O C

52.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

42.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.65

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.184 0.368

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.150 0.300 0.050

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

150

g