GD150HCX170C6SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

281

150

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

300

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

1136

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1700

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

300

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =150A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =150A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C =150A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =6.00 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

4.3

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

18.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.44

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R g =0.51Ω,V GE =±15V, L.S. =48 nH ,t Vj =25 O C

206

NS

t R

Aufstiegszeit

44

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

337

NS

t F

Herbstzeit

331

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

39.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

21.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R g =0.51Ω,V GE =±15V, L.S. =48 nH ,t Vj =125 O C

232

NS

t R

Aufstiegszeit

54

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

422

NS

t F

Herbstzeit

514

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

55.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R g =0.51Ω,V GE =±15V, L.S. =48 nH ,t Vj =150 O C

239

NS

t R

Aufstiegszeit

57

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

442

NS

t F

Herbstzeit

559

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

60.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

34.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =150A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F =150A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.95

I F =150A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.90

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V GE =-15V L.S. =48 nH ,t Vj =25 O C

42.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.3

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V GE =-15V L.S. =48 nH ,t Vj =125 O C

64.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

147

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.0

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V GE =-15V L.S. =48 nH ,t Vj =150 O C

72.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

148

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.132 0.209

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.029 0.047 0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g