GD2400SGX170C4S,IGBT-Modul,Hochstrom-IGBT-Modul,STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,hergestellt von STARPOWER. 1 700V 1200Ein ,A3 .

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
AlSiC Grundplatte für hohe Leistungszyklusfähigkeit
AlN-Substrat für niedrigen thermischen Widerstand CE

Typische Anwendungen

AC-Inverter-Antriebe
Schaltmodus-Netzteile
Elektronische Schweißer

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	2206 1200	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	2400	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C	8.77	kW

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1700	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	1200	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	2400	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute	4000	V

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =1200A,V GE =15V, t j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =1200A,V GE =15V, t j =125 O C		2.25
		I C =1200A,V GE =15V, t j =150 O C		2.35
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =48.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			1.0		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		145		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		3.51		NF
Q g	Gate-Ladung	V GE =-15 ...+15V		11.3		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =1200A, R g =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j =25 O C		440		NS
t R	Aufstiegszeit			112		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1200		NS
t F	Herbstzeit			317		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			271		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			295		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =1200A, R g =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j =125 O C		542		NS
t R	Aufstiegszeit			153		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1657		NS
t F	Herbstzeit			385		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			513		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			347		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =1200A, R g =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j =150 O C		547		NS
t R	Aufstiegszeit			165		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1695		NS
t F	Herbstzeit			407		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			573		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			389		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		4800		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =1200A,V GE =0V, t j =25℃		1.80	2.25	V
		I F =1200A,V GE =0V, t j =125℃		1.90
		I F =1200A,V GE =0V, t j =150℃		1.95
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V CC =900V,I F =1200A, -di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =25℃		190		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			844		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			192		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V CC =900V,I F =1200A, -di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =125℃		327		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			1094		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			263		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V CC =900V,I F =1200A, -di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =150℃		368		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			1111		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			275		mJ

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		12		nH
R CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.19		mΩ
R thJC	Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			17.1 26.2	K/kW
R thCH	Fall -Um -Heizkessel (proIGBT )Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)		9.9 15.2 6.0		K/kW
m	Leistungsanschluss Schraube:M4 Leistungsanschluss Schraube:M8 Montageschraube:M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10.0 5.75	N.M
g	Gewicht von Modul		1050		g