1200 V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom

@ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

1900

a)

1200

Ichcm(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1 ms

2400

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

1200

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

2400

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @ Tj= 175°C

8823

w

tSc

Kurzschlussfestigkeitszeit    @ Tj=125°C

10

μs

tj

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

Ich2t-Wert, Diode

vR=0V, t=10ms, Tj=125°C

300

Ka2s

vIso

Isolationsspannung RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Montage

Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M4

Leistungsanschluss-Schraube:M8

1.7 bis 2.3

8.0 bis 10

n.m.

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

BV CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

800

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=48.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß.tj=25°C

5.0

6.5

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 1200A,VGE=15V, tj=25°C

1.9

v

Ichc= 1200A,VGE=15V, tj= 125°C

2.1

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RGint

Interner Gate-Widerstand

tj=25°C

1.2

Oh

QGE

Gate-Ladung

Ichc= 1200A,Vc=600V, vGE=- 15…+15V

12.5

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=1200A,

RG=0.82Ω,VGE = ±15 V, tj=25°C

790

NS

tR

Aufstiegszeit

170

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1350

NS

tf

Herbstzeit

180

NS

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=1200A,

RG=0.82Ω,VGE =±15 v, 

tj= 125°C

850

NS

tR

Aufstiegszeit

170

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1500

NS

tf

Herbstzeit

220

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

155

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

190

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V, f=1MHz,

vGE=0V

92.0

NF

c- Die

Ausgangskapazität

8.40

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

6.10

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj=125°C- Ich weiß.

vCc=900V, vCEM≤1200 V

7000

a)

Ich...c

Streuinduktivität

15

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstande, Anschluss zu Chip

tc=25°C,pro Schalter

0.10

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 1200a

tj=25°C

1.9

v

tj= 125°C

2.1

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

Ichf= 1200A,

vR=600V,

di/dt=-6800A/μs, vGE=- 15 V

tj=25°C

110

μC

tj= 125°C

220

IchRm

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

760

a)

tj= 125°C

990

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

47

m

tj= 125°C

82

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, per Modul)

0.017

K/W

RθJC

Junction-to-Case (Diode-Teil, pro Modulle)

0.025

K/W

Rθcss

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, proModul)

0.006

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

G