1200 V

Symbol

Beschreibung

GD1200HFT120C3S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1800

a)

1200

Ichcm(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1 ms

2400

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

1200

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

2400

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @ Tj= 150°C

5.2

kW

tj

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

n.m.

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, 

tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, 

tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=48- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 1200A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc= 1200A,VGE=15V, tj= 125°C

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

11.5

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=1200A, 

RGon= 2,4Ω,

RGoff=0.82Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

600

NS

tR

Aufstiegszeit

230

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

820

NS

tf

Herbstzeit

150

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

- Ich weiß.

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

- Ich weiß.

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=1200A, 

RGon= 2,4Ω,

RGoff=0.82Ω,

vGE=±15V,Tj= 125°C

660

NS

tR

Aufstiegszeit

220

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

960

NS

tf

Herbstzeit

180

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

246

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

191

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

86.1

NF

c- Die

Ausgangskapazität

4.50

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

3.90

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj=125°C,VCc=900V, 

vCEM≤1200 V

4800

a)

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstande, Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.18

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 1200a

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj= 125°C

1.65

2.15

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

Ichf= 1200A,

vR=600V,

RGon= 2,4Ω,

vGE=- 15 V

tj=25°C

69

μC

tj= 125°C

129

IchRm

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

485

a)

tj= 125°C

623

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

32

m

tj= 125°C

60

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

24

K/kW

RθJC

Junction-to-Case (pro Diode)

43

K/kW

Rθcss

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, proModul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

G