1200 V

Symbol

Beschreibung

GD1200HFL120C3S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc= 100°C

1900

1200

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

2400

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

1200

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

2400

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

6.41

kW

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Maximale Junction-Temperatur

-40 bis +150

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4

1.8 bis 2.1

Anschlussdrehmoment, Schraube M8

8.0 bis 10

n.m.

Montagedrehmoment, Schraube m6

4.25 bis 5.75

G

Gewicht von Modul

1500

G

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=48.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.4

7.4

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 1200A,VGE=15V, tj=25°C

1.95

2.40

v

Ichc= 1200A,VGE=15V, tj=125°C

2.10

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 1200A,   RGon=2. 1Ω,RGoff=4.5Ω,vGE=±15 V,Tj=25°C

200

NS

tR

Aufstiegszeit

135

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1050

NS

tf

Herbstzeit

130

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

136

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

160

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 1200A,   RGon=2. 1Ω,RGoff=4.5Ω,vGE=±15 V,Tj= 125°C

220

NS

tR

Aufstiegszeit

190

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1150

NS

tf

Herbstzeit

140

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

184

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

208

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

84.8

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

3.76

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V

4500

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

2.7

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 1200a

tj=25°C

1.65

2.20

v

tj=125°C

1.75

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf= 1200A,

vR=600V,

RGon=2. 1Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

400

μC

tj=125°C

680

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

1400

a)

tj=125°C

1840

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

160

m

tj=125°C

296

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

23.4

K/kW

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

46.1

K/kW

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

6

K/kW