GD100PIX120C6SNA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

155

100

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

511

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

100

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1600

V

I O

Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle

100

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t P =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C

1150

880

Ein

I 2t

I 2t-Wert,t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C

6600

3850

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

87

50

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

100

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

308

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

25

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

50

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Wicklungstemperatur (Wechselrichter, Bremse) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)

175

150

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =100A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =100A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =100A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =4.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

7.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

10.4

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.29

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R g =1,6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

218

NS

t R

Aufstiegszeit

35

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

287

NS

t F

Herbstzeit

212

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

9.23

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.85

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R g =1,6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

242

NS

t R

Aufstiegszeit

41

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

352

NS

t F

Herbstzeit

323

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

13.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.95

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R g =1,6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

248

NS

t R

Aufstiegszeit

43

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

365

NS

t F

Herbstzeit

333

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

14.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

10.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

I F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

I F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

5.89

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

103

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.85

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

13.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

109

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.64

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

15.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

109

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.39

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =100A, t j =150 O C

0.95

V

I R

Rückstrom

t j =150 O C,V R =1600V

2.0

mA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =50A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =50A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =50A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =2.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

5.18

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.15

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

171

NS

t R

Aufstiegszeit

32

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

340

NS

t F

Herbstzeit

82

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

6.10

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.88

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

182

NS

t R

Aufstiegszeit

43

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

443

NS

t F

Herbstzeit

155

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.24

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

4.43

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

182

NS

t R

Aufstiegszeit

43

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

464

NS

t F

Herbstzeit

175

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.99

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

4.94

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 25A, V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

I F = 25A, V GE =0V,T j =125 O C

1.90

I F = 25A, V GE =0V,T j =150 O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

2.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

55

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.93

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

5.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

58

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.72

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

5.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

60

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.01

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

40

nH

R CC’+EE’ R AA ’+ CC ’

Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT -Wechselrichter )

Gehäuse-Temperatur (pro Diode-Inverter er)

Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier)

Junction -Um -Fall (proIGBT -Bremse -Chopper ) Verbindungshalter (pro Diode-Bremschop pro)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

Fall -Um -Heizkessel (proIGBT -Wechselrichter )

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-in verter)

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier)

Fall -Um -Heizkessel (proIGBT -Bremse -Chopper )Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-bremse- chopper) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

m

Montagedrehmoment, Schraube: M5

3.0

6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g