GD100PFX170C6SG, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1700V 100A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT-Wechselrichter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	161 100	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	200	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C	592	W

Diodenumrichter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1700	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	100	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	200	Ein

Dioden-Rechteckwellenrichter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1800	V
I O	Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle	100	Ein
I FSM	Überspannungs-Vorwärtsstrom t P =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C	1600 1400	Ein
I 2t	I 2t-Wert,t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C	13000 9800	Ein 2s

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur (Wechselrichter) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)	175 150	O C
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Wechselrichter Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =100A,V GE =15V, t j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =100A,V GE =15V, t j =125 O C		2.25
		I C =100A,V GE =15V, t j =150 O C		2.35
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =4,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			7.5		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		12.0		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.29		NF
Q g	Gate-Ladung	V GE =-15 ...+15V		0.94		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH , t j =25 O C		257		NS
t R	Aufstiegszeit			47		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			377		NS
t F	Herbstzeit			382		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			24.6		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			16.7		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46nH, T j =125 O C		284		NS
t R	Aufstiegszeit			56		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			444		NS
t F	Herbstzeit			555		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			34.9		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			23.1		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46nH, T j =150 O C		286		NS
t R	Aufstiegszeit			60		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			465		NS
t F	Herbstzeit			636		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			38.0		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			26.1		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		400		Ein

Diode -Wechselrichter Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =100A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1590A/μs,V GE =-15V L s =46 nH , t j =25 O C		13.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			107		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			8.79		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1300A/μs,V GE =-15V L s =46nH, T j =125 O C		25.0		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			111		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			18.6		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1230A/μs,V GE =-15V L s =46nH, T j =150 O C		28.0		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			112		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			20.4		mJ

Diode -Gleichrichter Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I C =100A, t j =150 O C		0.85		V
I R	Rückstrom	t j =150 O C,V R =1800V			3.0	mA

NTC Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R thJC	Junction -Um -Fall (proIGBT -Wechselrichter ) Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro DIODE-Wandler er) Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier)			0.253 0.424 0.289	K/W
R thCH	Fall -Um -Heizkessel (proIGBT -Wechselrichter )Gehäuse-Wärmeleiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)		0.105 0.176 0.120 0.009		K/W
m	Montagedrehmoment, Schraube: M5	3.0		6.0	N.M
g	Gewicht von Modul		300		g