GD100HHU120C6SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C = 75 O C

146

100

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =150 O C

771

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

100

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =100A,V GE =15V, t Vj =25 O C

3.00

3.45

V

I C =100A,V GE =15V, t Vj =125 O C

3.80

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =4,0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

6.50

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.42

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE =±15V, L.S. =48 nH ,t Vj =25 O C

38

NS

t R

Aufstiegszeit

50

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

330

NS

t F

Herbstzeit

27

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.92

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.06

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE =±15V, L.S. =48 nH ,t Vj =125 O C

37

NS

t R

Aufstiegszeit

50

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

362

NS

t F

Herbstzeit

43

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

10.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.69

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =125 O C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

650

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =100A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =100A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15V L.S. =48 nH ,t Vj =25 O C

11.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

101

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.08

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15V L.S. =48 nH ,t Vj =125 O C

19.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

120

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.47

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t Vj =100 O C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

21

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

2.60

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Fall -Um -Waschbecken (proIGBT )

Gehäuse-Senk (pro Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.051 0.125 0.009

K/W

m

Montagedrehmoment, Schraube M6

3.0

6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g