GD1000HTA75P6HT

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 750V 1000Ein ,P6 .

Merkmale

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
6 μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupfer-Pinfin-Blechplatte mit Si3N4 AMB-Technologie

Typische Anwendungen

Automobilanwendung
Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	750	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	v
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	1000	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F =125 O C	450	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	2000	Ein
P D	Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t Vj =175 O C	1282	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	750	v
I FN	Implementierter Sammler Cu rrent	1000	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	450	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	2000	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t vjmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t vjop	Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus	-40 bis +150 +150 bis +175	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	v
D Kriechen	Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal	9.0 9.0	mm
D klar	Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =25 O C

1.10

1.35

v

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =150 O C

1.10

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =175 O C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.60

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,9 mA ,v CE = v GE , t Vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.2

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =50V, f=100kHz, v GE =0V

66.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.50

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.35

NF

Q g

Gate-Ladung

v CE =400V,I C = 450 A, v GE =-15…+15V

4.74

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =25 O C

244

NS

t r

Aufstiegszeit

61

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

557

NS

t F

Herbstzeit

133

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =150 O C

260

NS

t r

Aufstiegszeit

68

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

636

NS

t F

Herbstzeit

226

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =175 O C

264

NS

t r

Aufstiegszeit

70

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

673

NS

t F

Herbstzeit

239

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, v GE =15V,

t Vj =25 O C,V CC =400V, v CEM ≤750V

4900

Ein

t P ≤3μs, v GE =15V,

t Vj =175 O C,V CC =400V, v CEM ≤750V

3800

Diode Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.40	1.65	v
		I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =150 O C		1.35
		I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =175 O C		1.30
		I F =1000A,V GE =0V,T Vj =25 O C		1.80
		I F =1000A,V GE =0V,T Vj =175 O C		1.80
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =400V,I F = 450 A, -di/dt=7809A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =25 O C		18.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			303		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			3.72		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =400V,I F = 450 A, -di/dt=6940A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =150 O C		36.1		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			376		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			8.09		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =400V,I F = 450 A, -di/dt=6748A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =175 O C		40.1		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			383		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			9.01		mJ

NTC Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
r 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von r 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		8		nH
r CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.75		mΩ
P	Maximaler Kühldruck Schönheit t Ausfallplatte < 40 O C t Ausfallplatte > 40 O C (relativer Druck)			2.5 2.0	Stange
r Die	Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Gewicht von Modul		750		g