Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
IGBT-Modul ,von Stärken . 750V 1000Ein ,P6 .
Merkmale
Typische Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
v CES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 750 | v |
v GES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
I CN | Implementierter Sammler Cu rrent | 1000 | Ein |
I C | Kollektorstrom @ T F =125 O C | 450 | Ein |
I CM | Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms | 2000 | Ein |
P D | Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t Vj =175 O C | 1282 | W |
Diode
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
v RRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter | 750 | v |
I FN | Implementierter Sammler Cu rrent | 1000 | Ein |
I F | Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent | 450 | Ein |
I FM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms | 2000 | Ein |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
t vjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | O C |
t vjop | Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus | -40 bis +150 +150 bis +175 | O C |
t stg | Lagerungstemperaturbereich | -40 bis +125 | O C |
v ISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min | 2500 | v |
D Kriechen | Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal | 9.0 9.0 | mm |
D klar | Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal | 4.5 4.5 | mm |
IGBT Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit | ||||||||
v CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =25 O C |
| 1.10 | 1.35 |
v | ||||||||
I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =150 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =175 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
I C =1000A,V GE =15V, t Vj =25 O C |
| 1.40 |
| |||||||||||
I C =1000A,V GE =15V, t Vj =175 O C |
| 1.60 |
| |||||||||||
v GE (th ) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | I C =12,9 mA ,v CE = v GE , t Vj =25 O C | 5.5 | 6.4 | 7.0 | v | ||||||||
I CES | Sammler Schnitt -aus Aktuell | v CE = v CES ,v GE =0V, t Vj =25 O C |
|
| 1.0 | mA | ||||||||
I GES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | v GE = v GES ,v CE =0V, t Vj =25 O C |
|
| 400 | NA | ||||||||
r Gint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 1.2 |
| Ω | ||||||||
C ies | Eingangskapazität |
v CE =50V, f=100kHz, v GE =0V |
| 66.7 |
| NF | ||||||||
C - Die | Ausgangskapazität |
| 1.50 |
| NF | |||||||||
C res | Rückübertragungs- Kapazität |
| 0.35 |
| NF | |||||||||
Q g | Gate-Ladung | v CE =400V,I C = 450 A, v GE =-15…+15V |
| 4.74 |
| μC | ||||||||
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =400V,I C = 450 A, r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj =25 O C |
| 244 |
| NS | ||||||||
t r | Aufstiegszeit |
| 61 |
| NS | |||||||||
t d ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 557 |
| NS | |||||||||
t F | Herbstzeit |
| 133 |
| NS | |||||||||
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 11.0 |
| mJ | |||||||||
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 22.8 |
| mJ | |||||||||
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =400V,I C = 450 A, r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj =150 O C |
| 260 |
| NS | ||||||||
t r | Aufstiegszeit |
| 68 |
| NS | |||||||||
t d ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 636 |
| NS | |||||||||
t F | Herbstzeit |
| 226 |
| NS | |||||||||
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 16.9 |
| mJ | |||||||||
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 32.2 |
| mJ | |||||||||
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =400V,I C = 450 A, r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj =175 O C |
| 264 |
| NS | ||||||||
t r | Aufstiegszeit |
| 70 |
| NS | |||||||||
t d ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 673 |
| NS | |||||||||
t F | Herbstzeit |
| 239 |
| NS | |||||||||
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 19.2 |
| mJ | |||||||||
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 33.6 |
| mJ | |||||||||
I SC | SC-Daten | t P ≤6μs, v GE =15V, t Vj =25 O C,V CC =400V, v CEM ≤750V |
| 4900 |
| Ein | ||||||||
|
| t P ≤3μs, v GE =15V, t Vj =175 O C,V CC =400V, v CEM ≤750V |
|
3800 |
|
|
Diode Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
v F |
Diodenvorwärts Spannung | I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C |
| 1.40 | 1.65 |
v |
I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =150 O C |
| 1.35 |
| |||
I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =175 O C |
| 1.30 |
| |||
I F =1000A,V GE =0V,T Vj =25 O C |
| 1.80 |
| |||
I F =1000A,V GE =0V,T Vj =175 O C |
| 1.80 |
| |||
Q r | Wiederhergestellte Ladung |
v r =400V,I F = 450 A, -di/dt=7809A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =25 O C |
| 18.5 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 303 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 3.72 |
| mJ | |
Q r | Wiederhergestellte Ladung |
v r =400V,I F = 450 A, -di/dt=6940A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =150 O C |
| 36.1 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 376 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 8.09 |
| mJ | |
Q r | Wiederhergestellte Ladung |
v r =400V,I F = 450 A, -di/dt=6748A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =175 O C |
| 40.1 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 383 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 9.01 |
| mJ |
NTC Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
r 25 | Nennwiderstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Abweichung von r 100 | t C =100 O C ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Leistung Abgabe |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B-Wert | r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
B 25/80 | B-Wert | r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
B 25/100 | B-Wert | r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
Modul Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
L CE | Streuinduktivität |
| 8 |
| nH |
r CC’+EE’ | Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
| 0.75 |
| mΩ |
P | Maximaler Kühldruck Schönheit t Ausfallplatte < 40 O C t Ausfallplatte > 40 O C (relativer Druck) |
|
| 2.5 2.0 |
Stange |
r Die | Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C |
| 0.068 0.105 | 0.078 0.120 | K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | N.M |
g | Gewicht von Modul |
| 750 |
| g |
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