Alle Kategorien

IGBT-Modul 750V

IGBT-Modul 750V

Startseite /  Produkte  /  IGBT-Modul /  IGBT-Modul 750V

GD1000HTA75P6HT

750V 1000A,

Brand:
Stärken
Spu:
GD1000HTA75P6HT
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

  • Einführung
  • Gliederung
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 750V 1000Ein ,P6 .

Merkmale

  • Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
  • Niedrige Schaltverluste
  • 6 μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Maximale Knotentemperatur 175
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupfer-Pinfin-Blechplatte mit Si3N4 AMB-Technologie

Typische Anwendungen

  • Automobilanwendung
  • Hybrid- und Elektrofahrzeuge
  • Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F =125 O C

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

2000

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t Vj =175 O C

1282

W

Diode

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

750

v

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

2000

Ein

Modul

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

D Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

D klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

IGBT Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =25 O C

1.10

1.35

v

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =150 O C

1.10

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =175 O C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.60

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,9 mA ,v CE = v GE , t Vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.2

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =50V, f=100kHz, v GE =0V

66.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.50

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.35

NF

Q g

Gate-Ladung

v CE =400V,I C = 450 A, v GE =-15…+15V

4.74

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =25 O C

244

NS

t r

Aufstiegszeit

61

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

557

NS

t F

Herbstzeit

133

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =150 O C

260

NS

t r

Aufstiegszeit

68

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

636

NS

t F

Herbstzeit

226

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, v GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =175 O C

264

NS

t r

Aufstiegszeit

70

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

673

NS

t F

Herbstzeit

239

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, v GE =15V,

t Vj =25 O C,V CC =400V, v CEM ≤750V

4900

Ein

t P ≤3μs, v GE =15V,

t Vj =175 O C,V CC =400V, v CEM ≤750V

3800

Diode Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.40

1.65

v

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =150 O C

1.35

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =175 O C

1.30

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.80

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7809A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =25 O C

18.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

303

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.72

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6940A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =150 O C

36.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

376

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.09

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6748A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =175 O C

40.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

383

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.01

mJ

NTC Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

∆R/R

Abweichung von r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.75

P

Maximaler Kühldruck Schönheit

t Ausfallplatte < 40 O C

t Ausfallplatte > 40 O C

(relativer Druck)

2.5 2.0

Stange

r Die

Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel V/ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Gewicht von Modul

750

g

Gliederung

Äquivalentschaltbild

Kostenlose Angebotsanfrage

Unser Vertreter wird sich bald bei Ihnen melden.
Email
Name
Firmenname
Nachricht
0/1000

VERWANDTES PRODUKT

Haben Sie Fragen zu Produkten?

Unser professionelles Verkaufsteam freut sich auf Ihre Beratung.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.

Angebot anfordern

Kostenlose Angebotsanfrage

Unser Vertreter wird sich bald bei Ihnen melden.
Email
Name
Firmenname
Nachricht
0/1000