GD1000HTA75P6HLT

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F =125 O C

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

2000

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t Vj =175 O C

1282

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

750

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

2000

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

D Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

D klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =25 O C

1.10

1.35

V

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =150 O C

1.10

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =175 O C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,9 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.2

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.50

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.35

NF

Q g

Gate-Ladung

V CE =400V,I C = 450 A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =25 O C

244

NS

t R

Aufstiegszeit

61

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

557

NS

t F

Herbstzeit

133

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =150 O C

260

NS

t R

Aufstiegszeit

68

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

636

NS

t F

Herbstzeit

226

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =175 O C

264

NS

t R

Aufstiegszeit

70

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

673

NS

t F

Herbstzeit

239

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

t Vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

Ein

t P ≤3μs, V GE =15V,

t Vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.40

1.65

V

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =150 O C

1.35

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =175 O C

1.30

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.80

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7809A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =25 O C

18.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

303

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.72

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6940A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =150 O C

36.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

376

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.09

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6748A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =175 O C

40.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

383

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.01

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.75

mΩ

P

Maximaler Kühldruck Schönheit

t Ausfallplatte < 40 O C

t Ausfallplatte > 40 O C

(relativer Druck)

2.5 2.0

Stange

R Die

Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Gewicht von Modul

750

g