GD1000HFA75N5HT

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I C

Sammler Aktuell t Vj =175 O C

680

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1360

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t Vj =175 O C

1086

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

750

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

680

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1360

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =680A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.25

1.50

V

I C =680A,V GE =15V, t Vj =150 O C

1.35

I C =680A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.45

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.70

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.5

6.5

7.0

V

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , t Vj =175 O C

3.5

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

72.3

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.51

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.32

NF

Q g

Gate-Ladung

V CE =400V, I C =680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C =680A, R g =0.22Ω, L s =16 nH , V GE =-10V/+15V,

t Vj =25 O C

196

NS

t R

Aufstiegszeit

50

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

407

NS

t F

Herbstzeit

125

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

29.1

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C =680A, R g =0.22Ω, L s =16 nH , V GE =-10V/+15V,

t Vj =150 O C

222

NS

t R

Aufstiegszeit

63

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

471

NS

t F

Herbstzeit

178

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

37.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C =680A, R g =0.22Ω, L s =16 nH , V GE =-10V/+15V,

t Vj =175 O C

224

NS

t R

Aufstiegszeit

68

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

490

NS

t F

Herbstzeit

194

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

21.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

39.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs,V GE =15V,

4000

Ein

t Vj =25 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs,V GE =15V,

t Vj =175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =680A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.60

2.05

V

I F =680A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.60

I F =680A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.55

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.75

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L s =16 nH ,t Vj =25 O C

19.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

458

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.10

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L s =16 nH ,t Vj =150 O C

29.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

504

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.70

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE =- 10V, L s =16 nH ,t Vj =175 O C

34.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

526

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R

Nenn Widerstand

t C =0 O C

t C =150 O C

1000

1573

Ω Ω

t cr

Temperaturkoeffizient nt

0.38

%/K

t Sch

Selbst Heizung

t C =0 O C

I m =0,1...0,3mA

0.4

K/mW

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

5

nH

P

Maximaler Kühldruck Schönheit

2.5

Stange

R Die

Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=8.0 dm 3/Min ,t F =65 O C

0.080 0.115

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

g

Gewicht von Modul

220

g