Diodenmodul, YMDBD1500-33 | I-03

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Wert

Einheit

V RRM

Repetitive voltage

T C = 25 °C

3300

V

I F

Forward current

DC

1500

Ein

I FRM

Spitzen-Vorwärtsstrom

t P = 1 ms

3000

Ein

I FSM

Stromstoß

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 25 °C

12000

Ein

I 2t

I 2t

I 2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 125 °C

720

kA 2s

V isolierung

Isolation spannung - pro modul

(Gemeinsame Endgeräte für basis platte), Klimaanlage RMS,1 min, 50Hz, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

Partial entlassung - pro modul

IEC1287. V 1=3500V, V 2= 2600V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

I RRM

Wiederholung der Rückwärtsbewegung

aktuell

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C =150 °C

100

mA

V F

Durchlassspannung

I F = 1500A

2.40

V

I F = 1500A, T vj = 150 °C

2.80

V

Q rR

Rückwärtswiederherstellung

ladevorgang

IF = 1500A,

VCC = 1800 V,

RG ((ON) = 1,0Ω,

Cge=330nF,

LS=150nH,

- diF/dt = 4000A/μs,

(Tvj= 150 °C)

IGBT:

Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

T vj = 25 °C

1020

μC

T vj = 150 °C

1710

μC

I rR

Rückwärtswiederherstellung

aktuell

T vj = 25 °C

1260

Ein

T vj = 150 °C

1450

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung

energie

T vj = 25 °C

1.50

J

T vj = 150 °C

2.60

J