Diodenmodul, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

符号

Symbol

参数名称

Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

数值

Wert

einheit

Einheit

V RRM

wiederholte Spitzenspannung

Repetitive voltage

T C = 25 °C

4500

V

I F

vorwärts-Gleichstrom

Forward current

DC

1200

Ein

I FRM

vorwärts-wiederholte Spitzenstrom

Spitzen-Vorwärtsstrom

t P = 1 ms

2400

Ein

I FSM

einschaltstrom

Stromstoß

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 25 °C

TBD

Ein

I 2t

I 2t wert

I 2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 25 °C

530

kA 2s

V isolierung

绝缘电压 (modul )

Isolation spannung - pro modul

alle Anschlüsse kurzschließen, Spannung zwischen Anschluss und Basisplatte anlegen ( Gemeinsame Anschlüsse zu basis platte), Klimaanlage RMS,1 min, 50Hz, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

teilentladungsladung (modul )

Partial entlassung - pro modul

IEC1287. V 1=6900V, V 2=5100V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

符号

Symbol

参数名称

Parameter

条件

Prüfbedingungen

der letzte Wert Min.

typische Werte - Das ist typisch.

maksimalwert

Max.

einheit

Einheit

I RRM

wiederholter Rückstrom

Repetitive umgekehrt

aktuell

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C =125 °C

50

mA

V F

vorwärts-Spannung

Durchlassspannung

I F = 1200A

2.70

V

I F = 1200A, T vj = 125 °C

3.10

V

Q rR

rückwärtswiederherstellungsladung

Umgekehrt genesung

ladevorgang

V CC = 2800V, I F =1200A, - Das ist... i F /dt = 3800A/μs,

R G ((ON) = 1,5Ω ,

C GE =220nF,

L S =150nH,

(T vj = 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

T vj = 25 °C

1220

μC

T vj = 125 °C

1750

μC

I rR

rückwärts-Wiederherstellungsstrom

Umgekehrt genesung

aktuell

T vj = 25 °C

1320

Ein

T vj = 125 °C

1420

Ein

E erklärungen

rückwärtswiederherstellungsverluste

Umgekehrt genesung

energie

T vj = 25 °C

2.60

J

T vj = 125 °C

3.90

J