Diodenmodul 4500V

符号

Symbol

参数名称

Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

数值

Wert

Einheit

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenspannung

Repetitive voltage

tC= 25 °C

4500

v

IF

Vorwärts-Gleichstrom

Forward current

DC

1200

Ein

IFRM

Vorwärts-wiederholte Spitzenstrom

Spitzen-Vorwärtsstrom

tP = 1 ms

2400

Ein

IFSM

Einschaltstrom

Stromstoß

vr =0V, tP = 10ms, tVj = 25 °C

TBD

Ein

I2t

I2t Wert

I2t

vr =0V, tP = 10ms, tVj = 25 °C

530

kA2s

vIsolierung

绝缘电压(Modul)

Isolation Spannung-pro Modul

Alle Anschlüsse kurzschließen, Spannung zwischen Anschluss und Basisplatte anlegen ( Gemeinsame Anschlüsse zu Basis platte),Klimaanlage RMS,1 min, 50Hz, tC= 25 °C

10200

v

QPD

Teilentladungsladung(Modul)

Partial Entlassung-pro Modul

IEC1287. v1=6900V, v2=5100V,50Hz

RMS,tC= 25 °C

10

PC

符号

Symbol

参数名称

Parameter

条件

Prüfbedingungen

Der letzte Wert Min.

Typische Werte - Das ist typisch.

Maksimalwert

Max.

Einheit

Einheit

IRRM

Wiederholter Rückstrom

Repetitive umgekehrt

Aktuell

vRM = vRRM

1

mA

vRM = vRRM, tC=125 °C

50

mA

vF

Vorwärts-Spannung

Durchlassspannung

IF = 1200A

2.70

v

IF = 1200A,tVj = 125 °C

3.10

v

QRR

Rückwärtswiederherstellungsladung

umgekehrt Genesung

ladevorgang

vCC = 2800V,IF=1200A, - Das ist...IF/dt = 3800A/μs,

rG ((ON)= 1,5Ω ,

CGE=220nF,

Ls=150nH,

(tVj= 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

tVj= 25 °C

1220

μC

tVj= 125 °C

1750

μC

IRR

Rückwärts-Wiederherstellungsstrom

umgekehrt Genesung

Aktuell

tVj= 25 °C

1320

Ein

tVj= 125 °C

1420

Ein

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellungsverluste

umgekehrt Genesung

Energie

tVj= 25 °C

2.60

j

tVj= 125 °C

3.90

j