IGBT-Diskrete

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 110O C

50

25

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P begrenzt durch T jmax

100

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

573

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-55 bis +150

O C

t s

Lötemperatur 1,6 mm nach unten m Fall für 10er

260

O C

m

Montagedrehmoment, Schraube M3

0.6

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =25A, v GE =15V,

t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C =25A, v GE =15V,

t j =125 O C

1.95

I C =25A, v GE =15V,

t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 0,63 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

2.59

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.07

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

0.19

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =25A, r g = 20Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

28

NS

t r

Aufstiegszeit

17

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

196

NS

t F

Herbstzeit

185

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.71

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

1.49

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =25A, r g = 20Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

28

NS

t r

Aufstiegszeit

21

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

288

NS

t F

Herbstzeit

216

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.57

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.21

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =25A, r g = 20Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

28

NS

t r

Aufstiegszeit

22

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

309

NS

t F

Herbstzeit

227

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.78

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.42

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

100

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 25A, V GE =0V,T j =25 O C

2.20

2.65

v

I F = 25A, V GE =0V,T j = 125O C

2.30

I F = 25A, V GE =0V,T j = 150O C

2.25

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

1.43

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

34

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.75

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V t j = 125O C

2.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

42

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.61

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V t j = 150O C

2.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

44

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.10

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.262

0.495

K/W

r Die

Verbindung zum Umfeld

40

K/W