IGBT-Diskrete

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 110oc

50

25

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tpbegrenzt durch Tjmax

100

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

573

w

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-55 bis +150

oc

ts

Lötemperatur 1,6 mm nach untenm Fall für 10 Sekunden

260

oc

m

Montagedrehmoment, Schraube m3

0.6

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=25A,vGE=15V,

tj=25oc

1.70

2.15

v

Ichc=25A,vGE=15V,

tj=125oc

1.95

Ichc=25A,vGE=15V,

tj=150oc

2.00

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 0,63- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

2.59

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.07

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

0.19

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=25A,- Ich weiß.RG= 20Ω,VGE=±15V, tj=25oc

28

NS

tR

Aufstiegszeit

17

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

196

NS

tf

Herbstzeit

185

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

1.71

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

1.49

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=25A,- Ich weiß.RG= 20Ω,VGE=±15V, tj=125oc

28

NS

tR

Aufstiegszeit

21

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

288

NS

tf

Herbstzeit

216

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

2.57

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.21

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=25A,- Ich weiß.RG= 20Ω,VGE=±15V, tj=150oc

28

NS

tR

Aufstiegszeit

22

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

309

NS

tf

Herbstzeit

227

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

2.78

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.42

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

100

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 25A, VGE=0V,Tj=25oc

2.20

2.65

v

Ichf= 25A, VGE=0V,Tj= 125oc

2.30

Ichf= 25A, VGE=0V,Tj= 150oc

2.25

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj=25oc

1.43

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

34

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

0.75

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj= 125oc

2.4

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

42

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

1.61

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj= 150oc

2.6

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

44

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

2.10

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.262

0.495

K/W

RDie

Verbindung zum Umfeld

40

K/W