IGBT-Diskrete

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

650

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oC   @ Tc=135oc

240

120

a)

Ichcm

pulsiert Sammler Strom- Ich weiß.tp Begrenzt von tjmax

360

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

893

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte SpitzenrückwärtsvoltAlter

650

v

Ichf

Diode Dauerstrom   @ Tc=25oc @ Tc=80oc

177

120

a)

Ichfm

Diode maximal Vorwärts Strom- Ich weiß.tp Begrenzt von tjmax

360

a)

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

oc

tstg

Lagertemperaturbereich

-55 bis +150

oc

ts

Löt Temperatur,1.6mm from Gehäuse für 10 Sekunden

260

oc

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ichc=120A,VGE=15V, tj=25oc

1.40

1.85

v

Ichc=120A,VGE=15V, tj=150oc

1.70

Ichc=120A,VGE=15V, tj=175oc

1.75

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=1.92- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.1

5.8

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.ausStrom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc

250

u

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

200

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

- Ich weiß.

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

14.1

NF

cAufnahme

Rückübertragungs- Kapazität

0.42

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=-15 ...+15V

0.86

uC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=300V,Ic=120A,- Ich weiß.RG=7.5Ω,

vGE=±15V, Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=25oc

68

NS

tR

Aufstiegszeit

201

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

166

NS

tf

Herbstzeit

54

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

7.19

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.56

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=300V,Ic=120A,- Ich weiß.RG=7.5Ω,

vGE=±15V, Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=150oc

70

NS

tR

Aufstiegszeit

207

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

186

NS

tf

Herbstzeit

106

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

7.70

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.89

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=300V,Ic=120A,- Ich weiß.RG=7.5Ω,

vGE=±15V, Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=175oc

71

NS

tR

Aufstiegszeit

211

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

195

NS

tf

Herbstzeit

139

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

7.80

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.98

m

IchSc

SC-Daten

tp≤6μs,vGE=15V,

tj=150 oC,VCc= 300 V,vCEM≤ 650 V

600

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts Spannung

Ichf=120A,VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

Ichf=120A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.60

Ichf=120A,VGE=0V,Tj= 175oc

1.60

tRR

Diode Rückwärts- Ich weiß.Erholungszeit

vR=300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE=-15V Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=25oc

184

NS

QR

Wiederhergestellte Ladung

1.65

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

17.2

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.23

m

tRR

Diode Rückwärts- Ich weiß.Erholungszeit

vR=300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE=-15V Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=150oc

221

NS

QR

Wiederhergestellte Ladung

3.24

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

23.1

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.53

m

tRR

Diode Rückwärts- Ich weiß.Erholungszeit

vR=300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE=-15V Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=175oc

246

NS

QR

Wiederhergestellte Ladung

3.98

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

26.8

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.64

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.168 0.369

K/W

RDie

Verbindung zum Umfeld

40

K/W