750A,600V bis 1800V, 216F3B
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Kurze Einführung
Schnelle Abschalt-Thyristor-Module ,MK(H) x200 MK200, 200A, Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM | Typ & Umriss | |
600V | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von | Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
800V | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von | MHx75-08-216F3B |
1000V | Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 3 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
1200V | Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. | Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
1400V | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von | Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
1600V | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 5 der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 festgelegten Bedingungen zu erfüllen. |
1800V | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 3 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
1800V | MK75-18-216F3BG |
|
MKx steht für jeden Typ von MKC, MKA, MKK
Merkmale ：
Typische Anwendungen ：
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen | Tj( 。C) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | Max | |||||
IT(AV) | Mittlerer Einschaltstrom | 180。halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=85 。C |
125 |
|
| 75 | Ein |
IT(RMS) | RMS Durchlassstrom |
|
| 118 | Ein | ||
Ich bin hier | Wiederholender Spitzenstrom | bei VDRM bei VRRM | 125 |
|
| 30 | mA |
I TSM | Überschuss-Einschaltstrom | 10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM |
125 |
|
| 1.6 | kA |
I 2t | I2t für Fusionskoordination |
|
| 13 | 103Ein 2s | ||
v Um | Schwellenspannung |
|
125 |
|
| 1.50 | v |
rT | Einschaltsteigungswiderstand |
|
| 4.00 | mΩ | ||
v TM | Spitzeneinschaltspannung | Die in Anhang I Nummern 1 bis 5 genannten Angaben sind zu beachten. | 25 |
|
| 2.53 | v |
dv/dt | Kritische Steigrate der Ausschaltspannung | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 800 | V/μs |
di/dt | Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms | Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend | 125 |
|
| 200 | A/μs |
Tq | Schaltungskommutierte Abschaltzeit | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel. | 125 | 20 |
| 40 | μs |
25 | 6 |
| 16 | μs | |||
I GT | Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 150 | mA |
v GT | Gate-Auslösespannung | 0.8 |
| 2.5 | v | ||
I H | Haltestrom | 20 |
| 200 | mA | ||
IL | Haltestrom |
|
| 1000 | mA | ||
v GD | Nicht-auslösende Gate-Spannung | VDM= 67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | v |
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.20 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.04 | ℃ /W |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
| 2500 |
|
| v |
FM | Anschlussdrehmoment (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Gewicht |
|
|
| 320 |
| g |
Gliederung | 216F3B | ||||||
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