GD300SGU120C2S, IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

GD300SGU120C2S

Einheiten

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

VGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ TC=25℃

@ TC=80℃

440

300

Ein

ICM

Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms

600

Ein

IF

Diode Dauerstrom @ TC=80℃

300

Ein

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tp=1ms

600

Ein

PD

Maximale Leistungsabgabe @ Tj=150℃

2272

W

Tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

Tstg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

VISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Montage-Torque

Signalterminal-Schraube:M4

1.1 bis 2.0

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5,0

N.M

Montageschraube:M6

3,0 bis 5,0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V(BR)CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

Tj=25℃

1200

V

ICES

Abschnittswert für den Sammler

Aktuell

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter Leckstrom

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

VGE(th)

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

4.4

5.2

6.0

V

VCE (Sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3.10

3.55

V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =3.3Ω,

V GE =±15V, T j =25 ℃

662

nS

t r

Aufstiegszeit

142

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

633

nS

t f

Herbstzeit

117

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R G =3.3Ω,

V GE =±15V, T j =125 ℃

660

nS

t r

Aufstiegszeit

143

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

665

nS

t f

Herbstzeit

137

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

24.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.4

mJ

C ies

Eingangskapazität

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

25.3

nF

C - Die

Ausgangskapazität

2.25

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.91

nF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

T j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

2550

Ein

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 300A

T j =25 ℃

1.82

2.25

V

T j =125 ℃

1.95

Q r

Wiederhergestellt

Ladevorgang

I F =300A,

V R =600V,

R G =3.3Ω,

V GE =-15V

T j =25 ℃

29.5

μC

T j =125 ℃

42.3

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

T j =25 ℃

210

Ein

T j =125 ℃

272

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25 ℃

16.4

mJ

T j =125 ℃

22.7

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

R θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

0.055

K/W

R θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.092

K/W

R θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht Modul

300

g