H76KPU,Phasensteuerung Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC=70 ℃

115

1000

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM tp= 10ms bei VRRM tp= 10ms

115

600

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

115

10.5

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

551

103A2s

VTO

Schwellenspannung

115

1.38

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.90

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1500A, F=32kN

25

2.80

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM=67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

3800

μC

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

25

200

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

115

0.3

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlte Klemmkraft 32kN

0.011

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.003

FM

Montagekraft

27

32

34

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

115

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

℃

Wt

Gewicht

1140

g

Gliederung

KT60dT