Phasensteuerthyristor

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(。C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC=70。c

115

1000

a)

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM     tp= 10ms bei VRRM     tp= 10ms

115

600

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

115

10.5

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

551

103A2s

VTO

Schwellenspannung

115

1.38

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.90

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1500A, F=32kN

25

2.80

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM=67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs   IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

3800

μC

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

25

200

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

115

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt    Klemmkraft 32kN

0.011

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.003

fm

Montagekraft

27

32

34

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

115

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

1140

G

Umriss

KT60dT