H50ZPU,Gerechtigungsdiode

I _T(AV)

900Ein

V _RRM

8100V 8300V

8500V

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC=85 ℃

150

900

Ein

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM tp=10ms

150

200

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle. VR=0.6VRRM

150

10

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

500

10³Ein ²s

VFO

Schwellenspannung

150

1.00

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

1.00

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

V

Qrr

Einziehungsgebühr

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

4000

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 ° sinus. doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 24kN

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.005

FM

Montagekraft

19

26

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

150

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

160

℃

Wt

Gewicht

560

g

Gliederung

ZT50dT