Toʻgʻrilovchi diod

i_T(AV)

5650a

v_RRM

4500VOʻzlashtirish5000V

Oʻzlashtirish

Simvol

Oʻzlashtirish

xususiyati

Oʻzlashtirish

Sinov sharoitlari

Tj(°C) bilan

qiymat

Oʻzlashtirish

birligi

daqiqa

turini

maksimal

Oʻzlashtirish

IF(AV)

Oʻzlashtirish

O'rtacha oldinga oqim

180°yarim sinus to'lqini 50Hz Ikki tomonlama sovutilgan,

Oʻzlashtirish

TC=85。c

Oʻzlashtirish

150

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5650

Oʻzlashtirish

a

VRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

tp=10ms

150

4300

Oʻzlashtirish

5000

v

IRRM

Takroriy cho'qqi oqim

VRRM da

150

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

300

mA

IFSM

To'lqin Oldinga Hozirgi

10ms yarm sine to'lqini VR=0.6VRRM

150

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

60

ka

I2t

Qayta birikish uchun I2t

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

18000

a²s*10³

VFO

Chiziqli kuchlanishni

Oʻzlashtirish

150

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.91

v

rf

Oldinga qiyshiq qarshilik

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.10

mΩ

VFM

Cho'qqi oldinga kuchlanish

IFM=5000A, F=108kN

25

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.00

v

Qrr

Qaytarib olish haqi

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

Oʻzlashtirish

9000

Oʻzlashtirish

µC

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

180 da°sinus, ikki tomonlama sovutilgan Qisqarish kuchi 108kN

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.0050

Oʻzlashtirish

°C/W

Rth(c-h)

Termal qarshilik korpusdan issiqlik chiqaruvchiga

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.0015

fm

O'rnatish kuchi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

81

Oʻzlashtirish

108

kn

Tvj

Junction harorati

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

-40

Oʻzlashtirish

150

°C

TSTG

Saqlash harorati

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

-40

Oʻzlashtirish

160

°C

Wt

og'irligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2000

Oʻzlashtirish

g

koʻrinish

ZT100cT