MDC160,Qo'shish Diode moduli,Havo sovutish

V _RSM

V _RRM

Tur va kontur

900V

800V

MDx160-08-229H3

1100V

1000V

MDx160-10-229H3

1300V

1200V

MDx160-12-229H3

1500V

1400V

MDx160-14-229H3

1700V

1600V

MDx160-16-229H3

1900V

1800V

MDx160-18-229H3

Simvol

XUShMATLAR

Sinov sharoitlari

Tj( ° C)

Qiymat

Бирлик

Min

TUR

Maksimal

IF(AV)

O'rtacha oldinga oqim

180° yarm sine to'lqini 50Hz Bir tomonlama sovutilgan, TC=100 ° C

150

160

A

IF(RMS)

RMS oldinga oqim

251

A

IRRM

Takroriy cho'qqi oqim

vRRM da

150

12

mA

IFSM

To'lqin Oldinga Hozirgi

10ms yarm sine to'lqini VR=0.6VRRM

150

4

kA

I2t

Qayta birikish uchun I2t

80

A2s*103

VFO

Chiziqli kuchlanishni

150

0.85

V

rF

Oldinga qiyshiq qarshilik

1.25

m ω

VFM

Cho'qqi oldinga kuchlanish

IFM=480A

25

1.50

V

Rth(j-c)

Termal qarshilik

Kesiqdan qutiga

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.20

C /W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.08

C /W

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

Fm

Terminal ulanish momenti (M6)

4.5

6

N ·m

O'rnatish momenti (M6)

4.5

6

N ·m

TSTG

Saqlash harorati

-40

125

° C

Wt

Og'irlik

165

g

Koʻrinish

229H3