MTx800 MFx800 MT800,Tiristor/diod modullari,Havo sovutish

VRRM,VDRM

Tur va kontur

600V

MT3 koʻrsatkichlar

MFx800-06-410F3

800V

MT2 davlatning davlat qo'mitasi

MFx800-08-410F3

1000V

MTx800-10-410F3

MFx800-10-410F3

1200V

MTx800-12-410F3

MFx800-12-410F3

1400V

MTx800-14-410F3

MFx800-14-410F3

1800V

MTx800-16-410F3

MFx800-16-410F3

1800V

MTx800-18-410F3

MFx800-18-410F3

1800V

MT800-18-410F3G

Simvol

XUShMATLAR

Sinov sharoitlari

Tj( °C )

qiymat

BIT

Min

Tur

Maksimal

IT(AV)

O'rtacha yoqilgan holatdagi tok

180° yarim sinus to'lqini 50Hz

Bir tomonli sovutilgan, TC=70 °C

125

800

A

IT ((RMS)

RMS ish holatidagi tok

1256

A

Idrm Irrm

Takroriy cho'qqi oqim

VDRM va VRRM da

125

45

mA

ITSM

To'lqin yoqilgan holatdagi tok

VR=60%VRRM, t=10ms yarim sinus,

125

22.0

kA

I2t

Qayta birikish uchun I2t

125

2420

103A2s

VTO

Chiziqli kuchlanishni

125

0.80

V

rt

Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik

0.24

mΩ

VTM

Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish

ITM=2400A

25

1.68

V

dv/dt

O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi

Gate manbai 1.5A

tr ≤0.5μs Takroriy

125

200

A/μs

IGT

Eshikni ishga tushirish tok

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Eshikni ishga tushirish kuchlanishi

0.8

3.0

V

IH

Ushlab turish toki

10

200

mA

IL

Qayta ushlab turish toki

1500

mA

VGD

Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.048

°C )/W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.020

°C )/W

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

Fm

Terminal ulanish vring (M12)

12.0

16.0

N·m

O'rnatish vring (M8)

10.0

12.0

N·m

Tvj

Junction harorati

-40

125

°C )

TSTG

Saqlash harorati

-40

125

°C )

Wt

Og'irlik

3310

g

Koʻrinish

410F3