MK(H)x300 MK300, Tez o'chirish thyristor modullari, Havo sovutish

Tez o'chirish tiristor modullari

MK(H)x300 MK300, Tez O‘tdirish Tiristor Modullari, Havo Sochqiriqligida Ishlaydi

300A,600V~1800V,405F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x300 MK300

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Yozib olish

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

Tez o'chirish tiristor modullari ,MK(H)x 300 MK 300,3 00A .Havo sovutish,TECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VDRM, VRRM	Tur va kontur
600V	MKx300-06-405F3	MHx300-06-405F3
800V	MKx300-08-405F3	MHx300-08-405F3
1000V	MKx300-10-405F3	MHx300-10-405F3
1200V	MKx300-12-405F3	MHx300-12-405F3
1400V	MKx300-14-405F3	MHx300-14-405F3
1600V	MKx300-16-405F3	MHx300-16-405F3
1800V	MKx300-18-405F3	MHx300-18-405F3

Xususiyatlar ：

Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 2500V~
Bosimli kontakt texnologiyasi bilan Kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati
Joy va vaznni tejash

Oddiy qoʻllanmalar

Inverter
Induktiv isitish
Chopper

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj(°C)	qiymat			BIT
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj(°C)	Min	Tur	Maksimal	BIT
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180° yarim sinus to'lqini 50Hz Bir tomonlama sovutilgan,Tc=55°C	125			300	A
IT ((RMS)	RMS ish holatidagi tok		125			471	A
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	VDRM va VRRM da	125			50	mA
ITSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			5.60	kA
I2t	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			160	A ²s* 10 ³
VTO	Chiziqli kuchlanishni		125			1.50	V
rt	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik		125			0.75	mΩ
VTM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=900A	25			2.20	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy	125			200	A/μs
Tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
Tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi			0.8		3.0	V
IH	Ushlab turish toki			10		200	mA
VGD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.110	°C /W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.040	°C /W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
Fm	Terminal ulanish momenti(M8)			10.0		12.0	N·m
Fm	O'rnatish momenti (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Junction harorati			-40		125	°C
TSTG	Saqlash harorati			-40		125	°C
Wt	Og'irlik				1060		g
Koʻrinish	405F3