MK(H)x250 MK250, Tez Oʻtilish Thyristor Modullari, Havo Sochqirish

Tez o'chirish tiristor modullari

MK(H)x250 MK250,Tez o'chirish thyristor modullari,Havo sovutish

250A,600V~1800V,415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x250 MK250

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Yozib olish

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

Tez Oʻtilish Thyristor Mo dullari ,MK(H)x250 MK250 ,25 0A .Havo sovutish,TECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VRRM,VDRM	Tur va kontur
600V	MKx250-06-415F3	MHx250-06-415F3
800V	MKx250-08-415F3	MHx250-08-415F3
1000V	MKx250-10-415F3	MHx250-10-415F3
1200V	MKx250-12-415F3	MHx250-12-415F3
1400V	MKx250-14-415F3	MHx250-14-415F3
1600V	MKx250-16-415F3	MHx250-16-415F3
1800V	MKx250-18-415F3	MHx250-18-415F3
1800V	MK250-18-415F3G

MKx har qanday turini anglatadi MKC, MKA, MKK

MHx har qanday turini anglatadi MHC, MHA, MHK

Xususiyatlar ：

Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 2500V~
Bosimli kontakt texnologiyasi bilan Kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati
Joy va vaznni tejash

Oddiy qoʻllanmalar

Inverter
Induktiv isitish
Chopper

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( °C )	qiymat			BIT
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( °C )	Min	Tur	Maksimal	BIT
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180° yarim sinus to'lqini 50 Hz Yagona tomon sovutilgan,Tc=85 °C	125			250	A
IT ((RMS)	RMS ish holatidagi tok		125			392	A
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	VDRM va VRRM da	125			80	mA
ITSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			5.60	kA
Ман ²T	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			157	10³A ²s
VTO	Chiziqli kuchlanishni		125			1.30	V
rt	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik		125			0.38	M
VTM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=750A	25			2.69	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy	125			200	A/μs
Tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
Tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi			0.8		3.0	V
IH	Ushlab turish toki			20		200	mA
IL	Qayta ushlab turish toki					1000	mA
VGD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.100	°C /W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.040	°C /W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
Fm	Terminal ulanish momenti (M10)			10.0		12.0	N·m
Fm	O'rnatish momenti (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Junction harorati			-40		125	°C
TSTG	Saqlash harorati			-40		125	°C
Wt	Og'irlik				1260		g
Koʻrinish	415F3