MFC70, Qaynaq Thyristor to'plami, Havo sovutish

VDSM,VRSM

VDRM, VRRM

Tur va kontur

900V

800V

MFC70-08-224H3

1100V

1000V

MFC70-10-224H3

1300V

1200V

MFC70-12-224H3

1500V

1400V

MFC70-14-224H3

1700V

1600V

MFC70-16-224H3

1900V

1800V

MFC70-18-224H3

Simvol

XUShMATLAR

Sinov sharoitlari

Tj( ℃ )

qiymat

BIT

Min

TUR

Maksimal

IT(AV)

O'rtacha yoqilgan holatdagi tok

180° yarim sinus to'lqini 50Hz

Bir tomonlama sovutilgan, Tc =85 ℃

125

70

A

IT ((RMS)

RMS ish holatidagi tok

125

110

A

Idrm Irrm

Takroriy cho'qqi oqim

VDRM va VRRM da

125

15

mA

ITSM

To'lqin yoqilgan holatdagi tok

10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM

125

1.8

kA

I2t

Qayta birikish uchun I2t

16.2

A ²s* 10 ³

VTO

Chiziqli kuchlanishni

125

0.75

V

rt

Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik

3.64

M Ω

VTM

Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish

ITM=210A

25

1.80

V

dv/dt

O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi

VDM=67%VDRM

125

1000

V/ μ s

di/dt

O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi

Gate manbai 1.5A

tr ≤ 0.5μ s Takroriy

125

200

A/ μ s

IGT

Eshikni ishga tushirish tok

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Eshikni ishga tushirish kuchlanishi

0.6

2.5

V

IH

Ushlab turish toki

10

250

mA

VGD

Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.35

℃ /W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.15

℃ /W

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Termal ulanish momenti(M5)

2.5

4.0

N ·M

O'rnatish momenti (M6)

4.0

6.0

N ·M

Tvj

Junction harorati

-40

125

℃

TSTG

Saqlash harorati

-40

125

℃

Wt

Og'irlik

100

g

Koʻrinish

224H3