Payvandlash Diode Modullari

VRRM

Tur va kontur

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MDC 26-06-229H3

MDC 26-08-229H3

MDC 26-10-229H3

MDC 26-12-229H3

MDC 26-14-229H3

MDC 26-16-229H3

MDC 26-18-229H3

Simvol

XUShMATLAR

Sinov sharoitlari

Tj( °C )

qiymat

BIT

Min

Tur

Maksimal

IF(AV)

O'rtacha oldinga oqim

180° yarim sinus to'lqini 50Hz

Bir tomonlama sovutilgan, TC=100 °C

150

26

A

IF(RMS)

RMS oldinga oqim

150

41

A

IRRM

Takroriy cho'qqi oqim

VRRM da

150

8

mA

IFSM

To'lqin Oldinga Hozirgi

10ms yarm sine to'lqini VR=0.6VRRM

150

1.7

kA

I2t

Qayta birikish uchun I2t

14.5

A ²s* 10 ³

VFO

Chiziqli kuchlanishni

150

0.80

V

rF

Oldinga qiyshiq qarshilik

6.80

mΩ

VFM

Cho'qqi oldinga kuchlanish

IFM=80A

25

1.35

V

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

1.35

°C /W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.20

°C /W

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

Fm

Terminal ulanishi momenti(M5)

2.5

4.0

N·m

O'rnatish momenti (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Junction harorati

-40

150

°C

TSTG

Saqlash harorati

-40

125

°C

Wt

Og'irlik

100

g

Koʻrinish

224H3