MD200, Diod Modullari (Izolyatsiyalanmagan tur), TECHSEM

V RRM

TUR & Kontur

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MD200-08-210F2NA

MD200-10-210F2NA

MD200-12-210F2NA

MD200-14-210F2NA

MD200-16-210F2NA

MD200-18-210F2NA

MD200-08-210F2NK

MD200-10-210F2NK

MD200-12-210F2NK

MD200-14-210F2NK

MD200-16-210F2NK

MD200-18-210F2NK

Simvol

XUShMATLAR

Sinov sharoitlari

Tj( ℃ )

qiymat

BIT

Min

TUR

Maksimal

IF(AV)

O'rtacha oldinga oqim

180° yarim sinus to'lqini 50Hz

Bir tomonlama sovutilgan, TC=100 ℃

150

200

A

IF(RMS)

RMS oldinga oqim

314

A

IRRM

Takroriy cho'qqi oqim

VRRM da

150

8

mA

IFSM

To'lqin Oldinga Hozirgi

VR=60%VRRM, t=10ms yarim sinus

150

6.2

kA

I2t

Qayta birikish uchun I2t

192

103A2s

VFO

Chiziqli kuchlanishni

150

0.80

V

rF

Oldinga qiyshiq qarshilik

0.96

mΩ

VFM

Cho'qqi oldinga kuchlanish

IFM=600A

25

1.50

V

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.20

。C/W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.10

。C/W

Fm

Terminal ulanish momenti (M6)

4.5

6.0

N·m

O'rnatish momenti (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Junction harorati

-40

150

℃

TSTG

Saqlash harorati

-40

125

℃

Wt

Og'irlik

185

g

Koʻrinish

210F2NA, 210F2NK