YMIF650-45,IGBT moduli,Bitta kalit IGBT,CRRC

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

min

maksimal

Бирлик

Kollektor-emitter kuchlanishi 集电极 -发射极电压

V CES

V GE =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC Kollektsioner jorov to'plam oqimi

Ман C

T C =80°C

650

A

Pik kollektor jorov 集电极峰值 elektr oqimi

Ман M

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Chiqargichning kuchlanishi 栅极发射极电压

V GES

-20

20

V

Jami kuchni yoʻq qilish umumiy quvvat yo'qotilishi

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

W

DC oldinga oqim to'g'ri oqim

Ман F

650

A

Pik oldinga oqim pik to'g'ri oqim

Ман FRM

tp=1ms

1300

A

To'lqin jorov to'lqin tok

Ман FSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, yarim-sinusoida to'lqin

5300

A

IGBT qisqa cIRCUIT SOA IGBT qisqa tutashuv xavfsiz ish maydoni

t psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Izolyatsiya kuchlanishi 绝缘电压

V isol

1min,f=50Hz

10200

V

Junction harorati bog'lanish harorati

T vj

150

℃

Junction ishlash harorati temperatura ish bog'lanish harorati

T vj(op)

-50

125

℃

Korpus harorati qoplama harorati

T C

-50

125

℃

Saqlanish harorati saqlash harorati

T sTG

-50

125

℃

O'rnatish momentlari o'rnatish momenti

M S

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

Min

tUR

maksimal

Бирлик

Kollektor (- emitter) buzilish voltaj

集电极 -发射极阻断电压

V (BR) CES

V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Kollektor-emitter to'yinganligi voltaj

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

Ман C =650A, V GE =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Kollektorni to'xtatish jorov to'plam to'xtash oqimi

Ман CES

V CE =4500V, V GE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Gate oqimning oqishi qaytish oqimining oqimi

Ман GES

V CE =0V,V GE =20V, T vj =125°C

-500

500

nA

Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi 栅极发射极阀值电压

V GE(th)

Ман C =160mA,V CE =V GE , T vj =25°C

4.5

6.5

V

Gate muammaloq qaytish zaryadi

Q g

Ман C =650A,V CE =2800V, V GE = 15V … 15V

5.4

µC

Kirish sig'imi kirish quvvati

C ies

V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj =25°C

71.4

nF

Chiqarish quvvati chiqarish kondensatori

C o'qish

4.82

Teskari o'tkazish sig'imi teskari o'tkazish sig'imi

C res

1.28

Yoqish kechikishi vaqt 开通延迟时间

t d ((on)

V CC =2800V,

Ман C =650A,

R G =2.2 ω ,

V GE =±15V,

L σ =280nH,

induktiv yuklama

Tvj = 25 °C

420

ns

Tvj = 125 °C

528

O'sish vaqti ko'tarilish vaqti

t r

Tvj = 25 °C

160

Tvj = 125 °C

190

O'chirish kechikish vaqti o'chirish kechikishi

t d (o'chirilgan )

Tvj = 25 °C

2100

ns

Tvj = 125 °C

2970

Pasayish vaqti tushish vaqti

t f

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2760

Oʻchirilgan oʻchirish yo'qotish energiyasi yoqish yo'qotish energiyasi

E включено

Tvj = 25 °C

1000

mJ

Tvj = 125 °C

1600

Oʻchirishni oʻchirish yo'qotish energiyasi o'chirish yo'qotish energiyasi

E o'chirilgan

Tvj = 25 °C

2000

mJ

Tvj = 125 °C

2740

Qisqa tutashuv jorov qisqa tutashuv oqimi

Ман SC

t psc ≤ 10μ s, V GE =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

min

tUR

maksimal

Бирлик

Oldinga Kuchlanish oldingi voltaj

V F

Ман F =650A

Tvj = 25 °C

3.2

V

Tvj = 125 °C

3.6

Orqaga qayta tiklash oqimi teskari tiklanish toki

Ман rr

V CC =2800V,

Ман C =650A,

R G =2.2 ω ,

V GE =±15V,

L σ =280nH,

induktiv yuklama

Tvj = 25 °C

1200

A

Tvj = 125 °C

1300

A

Qaytarib olinadigan to'lov qayta tiklash zaryadi

Q rr

Tvj = 25 °C

450

µC

Tvj = 125 °C

550

µC

Orqaga qayta tiklash vaqti qaytish tiklanish vaqti

t rr

Tvj = 25 °C

660

ns

Tvj = 125 °C

750

Orqaga energiyani tiklash teskari tiklanish energiyasi

E rek

Tvj =25 °C

720

mJ

Tvj = 125 °C

860