IGBT Modul 4500V

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

Min

Maksimal

BIT

Kollektor-emitter kuchlanishi 集电极 -发射极电压

V CES

V GE =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC Kollektsioner Jorov to'plam oqimi

Ман C

T C =80°C

650

A

Pik kollektor Jorov 集电极峰值 elektr oqimi

Ман m

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Chiqargichning kuchlanishi 栅极发射极电压

V GES

-20

20

V

Jami Kuchni yoʻq qilish Umumiy quvvat yo'qotilishi

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

W

DC oldinga oqim To'g'ri oqim

Ман F

650

A

Pik oldinga oqim Pik to'g'ri oqim

Ман FRM

tp=1ms

1300

A

To'lqin Jorov To'lqin tok

Ман FSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, yarim-sinusoida to'lqin

5300

A

IGBT qisqa CIRCUIT SOA IGBT qisqa tutashuv xavfsiz ish maydoni

T psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Izolyatsiya kuchlanishi 绝缘电压

V isol

1min,f=50Hz

10200

V

Junction harorati bog'lanish harorati

T vj

150

°C

Junction ishlash harorati temperatura ish bog'lanish harorati

T vj(op)

-50

125

°C

Korpus harorati qoplama harorati

T C

-50

125

°C

Saqlanish harorati saqlash harorati

T STG

-50

125

°C

O'rnatish momentlari o'rnatish momenti

M s

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

Min

Tur

Maksimal

BIT

Kollektor (- emitter) buzilish kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

集电极 -发射极阻断电压

V (BR) CES

V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Kollektor-emitter to'yinganligi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

Ман C =650A, V GE =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Kollektorni to'xtatish Jorov to'plam to'xtash oqimi

Ман CES

V CE =4500V, V GE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Gate oqimning oqishi qaytish oqimining oqimi

Ман GES

V CE =0V,V GE =20V, T vj =125°C

-500

500

nA

Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi 栅极发射极阀值电压

V GE(th)

Ман C =160mA,V CE =V GE , T vj =25°C

4.5

6.5

V

Gate Muammaloq qaytish zaryadi

Q g

Ман C =650A,V CE =2800V, V GE = 15V … 15V

5.4

µC

Kirish sig'imi kirish quvvati

C ies

V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj =25°C

71.4

NF

Chiqarish quvvati chiqarish kondensatori

C o'qish

4.82

Teskari o'tkazish sig'imi Teskari o'tkazish sig'imi

C res

1.28

Yoqish kechikishi vaqt 开通延迟时间

T d ((on)

V CC =2800V,

Ман C =650A,

R g =2.2 Ω ,

V GE =±15V,

L σ =280nH,

induktiv yuklama

Tvj = 25 °C

420

ns

Tvj = 125 °C

528

O'sish vaqti Ko'tarilish vaqti

T R

Tvj = 25 °C

160

Tvj = 125 °C

190

O'chirish kechikish vaqti O'chirish kechikishi

T D (o'chirilgan )

Tvj = 25 °C

2100

ns

Tvj = 125 °C

2970

Pasayish vaqti tushish vaqti

T F

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2760

Oʻchirilgan oʻchirish yo'qotish energiyasi Yoqish yo'qotish energiyasi

E включено

Tvj = 25 °C

1000

mJ

Tvj = 125 °C

1600

Oʻchirishni oʻchirish yo'qotish energiyasi O'chirish yo'qotish energiyasi

E o'chirilgan

Tvj = 25 °C

2000

mJ

Tvj = 125 °C

2740

Qisqa tutashuv Jorov Qisqa tutashuv oqimi

Ман SC

T psc ≤ 10μ s, V GE =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

Min

Tur

Maksimal

BIT

Oldinga Kuchlanish Oldingi voltaj

V F

Ман F =650A

Tvj = 25 °C

3.2

V

Tvj = 125 °C

3.6

Orqaga Qayta tiklash oqimi Teskari tiklanish toki

Ман rr

V CC =2800V,

Ман C =650A,

R g =2.2 Ω ,

V GE =±15V,

L σ =280nH,

induktiv yuklama

Tvj = 25 °C

1200

A

Tvj = 125 °C

1300

A

Qaytarib olinadigan to'lov Qayta tiklash zaryadi

Q rr

Tvj = 25 °C

450

µC

Tvj = 125 °C

550

µC

Orqaga Qayta tiklash vaqti Qaytish tiklanish vaqti

T rr

Tvj = 25 °C

660

ns

Tvj = 125 °C

750

Orqaga energiyani tiklash Teskari tiklanish energiyasi

E rek

Tvj =25 °C

720

mJ

Tvj = 125 °C

860