Barcha toifalar

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Bosh sahifa /  Mahsulotlar  /  IGBT moduli /  IGBT Modul 1200V

GD400SGY120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

IGBT modullari, 1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Kirish
  • Koʻrinish
Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 400A.

Xususiyatlar

  • Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
  • 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
  • VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
  • Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy Qo'llanish sohaları

  • Motorli harakatlantiruvchi inverter
  • AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
  • Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor Jorov @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

A

Ман m

Pulsatsiya qilingan Kollektor Jorov T P = 1 ms

800

A

P D

Maksimal Quvvat Bo'shilish @ T J = 175 O C

2083

W

Diod

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diod doimiy oldinga oqim

400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

800

A

Modul

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal ulanish harorati oʻtish

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 ga +150

O C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 ga +125

O C

V ISO

Yolgʻizlik kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch RMS ,f=50 Гц , t=1 Min

4000

V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V CE (sat )

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A, V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C = 400A, V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C = 400A, V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 10.0mA ,V CE = V GE ,T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektorning kesilishi

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V,

T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.9

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE = 25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.16

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15V…+15V

3.11

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600 V, Ман C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

257

ns

T R

O'sish vaqti

96

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

628

ns

T F

Pasayish vaqti

103

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

23.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

34.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600 V, Ман C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

268

ns

T R

O'sish vaqti

107

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

659

ns

T F

Pasayish vaqti

144

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

35.3

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

51.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600 V, Ман C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J = 150O C

278

ns

T R

O'sish vaqti

118

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

680

ns

T F

Pasayish vaqti

155

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

38.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

56.7

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C ,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1600

A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A, V GE =0V, T J =25 O C

1.80

2.25

V

Ман F = 400A, V GE =0V, T J = 125O C

1.85

Ман F = 400A, V GE =0V, T J = 150O C

1.85

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600 V, Ман F = 400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T J =25 O C

38.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

285

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

19

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600 V, Ман F = 400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T J = 125O C

66.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

380

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

36.6

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600 V, Ман F = 400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T J = 150O C

76.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

399

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

41.8

mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE

Modulning o'rnini bosuvchi qarshilik, terminal Chipga

0.18

R tJC

Junction -ga -Vazifa (uchun IGBT )

Junction -ga -Vazifa (uchun Diod )

0.072

0.095

K/W

R tCH

Vazifa -ga -Issiqlik sinki (uchun IGBT )

Vazifa -ga -Issiqlik sinki (uchun Diod )

Issiqlik sinkiga bo'lgan qolip (modul bo'yicha)

0.018

0.023

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Qulupna M6 O'rnatish Момент , Qulupna M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

vaznining Modul

300

g

Koʻrinish

image(6b521639e0).png

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

QO'ShMA mahsuloti

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Bizning professional savdo jamoamiz sizning maslahatlaringizni kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

Taklif oling

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000