IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

VCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

VGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor Tok @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Pulsli Kollektor Tok tp=1ms

800

A

PD

Maksimal quvvatni yo'q qilish @ T = 150oC

2659

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

VRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

IF

Diod doimiy oldinga oqim

400

A

MFI

Diode Maksimal Oldinga Tok tp=1ms

800

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

Tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

oC

Tjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

oC

TSTG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

oC

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 O C

2.90

3.35

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 O C

3.60

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.0 mA,V CE =V GE , T J =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.6

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

26.0

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.70

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

4.2

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2,2Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

76

ns

T R

O'sish vaqti

57

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

529

ns

T F

Pasayish vaqti

73

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

5.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

23.2

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2,2Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

81

ns

T R

O'sish vaqti

62

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

567

ns

T F

Pasayish vaqti

81

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

9.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

31.7

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 125 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

2800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A,V GE =0V,T J =25 O C

1.96

2.31

V

Ман F = 400A,V GE =0V,T J = 125O C

1.98

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

24.9

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

317

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

16.0

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T J = 125O C

35.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

391

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

21.4

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga

0.18

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.047

0.100

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Korpusdan Isitgichga (pe r Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.015

0.031

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g