GD400HFY120C2S, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 400A.

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy Qo'llanish sohaları

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 o C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 o C @ T C = 100o C	630 400	A
Ман M	Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms	800	A
P D	Maksimal quvvat = 175 o C	2083	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V RRM	Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi	1200	V
Ман F	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara	400	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms	800	A

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	o C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	o C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	o C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 400A,V GE =15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V
		Ман C = 400A,V GE =15V, T j = 125 o C		1.95
		Ман C = 400A,V GE =15V, T j = 150 o C		2.00
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			1.9		ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		41.4		nF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		1.16		nF
Q G	Darvoza zaryadi	V GE =15V		3.11		μC
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2.0Ω, V GE =±15V, T j =25 o C		257		ns
t r	O'sish vaqti			96		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			628		ns
t f	Pasayish vaqti			103		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			23.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			34.0		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2.0Ω, V GE =±15V, T j = 125o C		268		ns
t r	O'sish vaqti			107		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			659		ns
t f	Pasayish vaqti			144		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			35.3		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			51.5		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2.0Ω, V GE =±15V, T j = 150o C		278		ns
t r	O'sish vaqti			118		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			680		ns
t f	Pasayish vaqti			155		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			38.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			56.7		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	t P ≤ 10 μs,V GE =15V, T j = 150 o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		1600		A

Diod Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 400A,V GE =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		Ман F = 400A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		Ман F = 400A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 400A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C		38.0		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			285		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			19.0		mJ
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 400A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C		66.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			380		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			36.6		mJ
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 400A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C		76.0		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			399		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			41.8		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			20	nH
R CC+EE	Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga		0.35		mΩ
R tJC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			0.072 0.095	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.035 0.046 0.010		K/W
M	Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Og'irlik из Modul		300		g