IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD400HFU120C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

660

400

A

Ман m (1)

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

Ман F

Diod doimiy oldinga oqim

400

A

Ман Fm (1)

Diodning maksimal oldinga burilishi ijara

800

A

P D

Maksimal quvvat J = 150°C

2660

W

T SC

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ T J = 125 °C

10

μs

T J

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Oʻrnatish vring

Kuch terminalining viski:M6

2,5 gacha 5.0

N.M

O'rnatish Varaq:M6

3,0 dan 6.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =4.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 °C

3.10

3.60

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125°C

3.45

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T J =25 °C

680

ns

T R

O'sish vaqti

142

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

638

ns

T F

Pasayish vaqti

99

ns

E включено

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

19.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

32.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T J = 125°C

690

ns

T R

O'sish vaqti

146

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

669

ns

T F

Pasayish vaqti

108

ns

E включено

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

26.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

36.7

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

33.7

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.99

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.21

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15 V, T J =25 °C ,

V CC = 600 V, V MET ≤ 1200V

2600

A

R Gint

Ichki Darvozali Qarshilik tansiq

0.5

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

18

nH

R CC + EE ’

Modulning oʻzidan saqlanishi o Chiptani terminalga oʻtkazish

T C =25 °C

0.32

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A

T J =25 °C

1.95

2.35

V

T J = 125°C

1.85

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

Ман F = 400A,

V R = 600 V,

di/dt=-2850A/μs, V GE =- 15V

T J =25 °C

24.1

μC

T J = 125°C

44.3

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

220

A

T J = 125°C

295

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

13.9

mJ

T J = 125°C

24.8

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IG boʻyicha) BT)

0.047

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.096

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.035

K/W

g

vaznining Modul

350

g