GD400HFU120C2S, IGBT Moduli, STARPOWER

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 400A.

Xususiyatlari

Oddiy qoʻllanmalar

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Simvol	Tavsif	GD400HFU120C2S	Birliklar
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	± 20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	660 400	A
Ман M (1)	Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms	800	A
Ман F	Diod doimiy oldinga oqim	400	A
Ман Fm (1)	Diodning maksimal oldinga burilishi ijara	800	A
P D	Maksimal quvvat j = 150℃	2660	W
T SC	Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ T j = 125 ℃	10	μs
T j	Maksimal bogʻlanish harorati	150	℃
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	℃
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V
Oʻrnatish vring	Kuch terminalining viski:M6	2,5 gacha 5.0	N.M
Oʻrnatish vring	O'rnatish Varaq:M6	3,0 dan 6.0	N.M

Elektr Xususiyatlari из IGBT T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Xususiyatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V (BR )CES	Kollektor-tarqatuvchi Жорайвий чораларни босим	T j =25 ℃	1200			V
Ман CES	Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃			400	nA

Xususiyatlar toʻgʻrisida

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =4.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 400A,V GE =15V, T j =25 ℃		3.10	3.60	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 400A,V GE =15V, T j = 125℃		3.45		V

Xususiyatlarni oʻzgartirish

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T j =25 ℃		680		ns
t r	O'sish vaqti			142		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			638		ns
t f	Pasayish vaqti			99		ns
E включено	Oʻchirilgan oʻchirish Yoʻqotish			19.0		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			32.5		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T j = 125℃		690		ns
t r	O'sish vaqti			146		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			669		ns
t f	Pasayish vaqti			108		ns
E включено	Oʻchirilgan oʻchirish Yoʻqotish			26.1		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			36.7		mJ
C ies	Kirish sig'imi	V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V		33.7		nF
C o'qish	Chiqarish quvvati			2.99		nF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			1.21		nF
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15 V, T j =25 ℃ , V CC = 600 V, V MET ≤ 1200V		2600		A
R Gint	Ichki Darvozali Qarshilik tansiq			0.5		ω
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi				18	nH
R CC + EE ’	Modulning oʻzidan saqlanishi o Chiptani terminalga oʻtkazish	T C =25 ℃		0.32		m ω

Elektr Xususiyatlari из Diod T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari		Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 400A	T j =25 ℃		1.95	2.35	V
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 400A	T j = 125℃		1.85		V
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	Ман F = 400A, V R = 600 V, di/dt=-2850A/μs, V GE =- 15V	T j =25 ℃		24.1		μC
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov		T j = 125℃		44.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T j =25 ℃		220		A
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T j = 125℃		295		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya		T j =25 ℃		13.9		mJ
E rek	Qayta tiklanish Energiya		T j = 125℃		24.8		mJ

Issiqlik xususiyati ics

Simvol	Parametr	Tip.	Max.	Birliklar
R θ JC	Jons-to-Case (IG boʻyicha) BT)		0.047	K/W
R θ JC	Qisqasi bilan bogʻlanish (har D Yod)		0.096	K/W
R θ CS	Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)	0.035		K/W
G	Vaznining Modul	350		g