IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

769

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

P D

Maksimal quvvat vj = 1 75O C

2272

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.85

2.30

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T vj = 125 O C

2.25

Ман C = 400A,V GE =15V, T vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.00 mA ,V CE = V GE ,T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T vj =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

43.2

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.18

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

3.36

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2Ω, L s = 45 nH ,

V GE =±15V, T vj =25 O C

288

ns

T R

O'sish vaqti

72

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

314

ns

T F

Pasayish vaqti

55

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

43.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

12.4

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2Ω, L s = 45 nH ,

V GE =±15V, T vj = 125 O C

291

ns

T R

O'sish vaqti

76

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

351

ns

T F

Pasayish vaqti

88

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

57.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

17.1

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2Ω, L s = 45 nH ,

V GE =±15V, T vj = 150 O C

293

ns

T R

O'sish vaqti

78

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

365

ns

T F

Pasayish vaqti

92

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

62.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

18.6

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1500

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Ман F = 400A,V GE =0V,T vj = 125 O C

1.90

Ман F = 400A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, L s = 45 nH ,T vj =25 O C

38.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

252

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

11.2

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 400A,

-di /dt = 3860A/μs, V GE =- 15V, L s = 45 nH ,T vj = 125 O C

61.9

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

255

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

18.7

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 400A,

-di /dt = 3720A/μs, V GE =- 15V, L s = 45 nH ,T vj = 150 O C

75.9

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

257

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

20.5

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.066

0.115

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Korpusdan Isitgichga (pe r Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g