IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

620

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

P D

Maksimal quvvat = 175 O C

2272

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

800

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 O C

1.90

2.35

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125O C

2.40

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.55

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 10.0mA,V CE =V GE , T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

100

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.9

Ω

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 0,38Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

1496

ns

T R

O'sish vaqti

200

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1304

ns

T F

Pasayish vaqti

816

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

27.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

20.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 0,38Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

1676

ns

T R

O'sish vaqti

252

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1532

ns

T F

Pasayish vaqti

872

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

41.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

23.6

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 0,38Ω,

V GE =±15V, T J = 150O C

1676

ns

T R

O'sish vaqti

260

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1552

ns

T F

Pasayish vaqti

888

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

46.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

24.0

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A,V GE =0V,T J =25 O C

1.90

2.35

V

Ман F = 400A,V GE =0V,T J = 125O C

1.90

Ман F = 400A,V GE =0V,T J = 150O C

1.90

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

20.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

180

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

6.8

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T J = 125O C

52.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

264

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

19.5

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T J = 150O C

60.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

284

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

22.6

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

15

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.25

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.066

0.093

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g