IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

396

225

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1ms

450

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

1530

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

225

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

450

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =225A,V GE =15V, T J =25 O C

1.85

2.20

V

Ман C =225A,V GE =15V, T J = 125 O C

2.25

Ман C =225A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.35

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =9.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.8

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

27.1

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.66

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

2.12

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T J =25 O C

187

ns

T R

O'sish vaqti

76

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

587

ns

T F

Pasayish vaqti

350

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

56.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

52.3

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T J = 125O C

200

ns

T R

O'sish vaqti

85

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

693

ns

T F

Pasayish vaqti

662

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

75.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

80.9

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T J = 150O C

208

ns

T R

O'sish vaqti

90

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

704

ns

T F

Pasayish vaqti

744

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

82.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

87.7

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

900

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =225A,V GE =0V,T J =25 O C

1.80

2.25

V

Ман F =225A,V GE =0V,T J = 125O C

1.90

Ман F =225A,V GE =0V,T J = 150O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

63.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

352

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

37.4

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T J = 125 O C

107

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

394

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

71.0

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T J = 150 O C

121

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

385

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

82.8

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

ΔR/R

Og'ish из R 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.098

0.158

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.029

0.047

0.009

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

350

g