Toʻgʻrilovchi diod

i_T(AV)

400a

v_RRM

8100VOʻzlashtirish8300V

8500V

Oʻzlashtirish

Simvol

Oʻzlashtirish

xususiyati

Oʻzlashtirish

Sinov sharoitlari

Tj(°C) bilan

qiymat

Oʻzlashtirish

birligi

daqiqa

turini

maksimal

IF(AV)

O'rtacha oldinga oqim

180°yarim sinus to'lqini 50Hz Ikki tomonlama sovutilgan

TC=85°C

150

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

a

VRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

tp=10ms

150

8000

Oʻzlashtirish

8500

v

IRRM

Takroriy cho'qqi oqim

VRRM da      tp=10ms

150

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

50

mA

IFSM

To'lqin Oldinga Hozirgi

10ms yarim sinus to'lqini. VR=0.6VRRM

Oʻzlashtirish

150

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

6.0

ka

I2t

Qayta birikish uchun I2t

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

180

10³a²s

VFO

Chiziqli kuchlanishni

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

150

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.40

v

rf

Oldinga qiyshiq qarshilik

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.20

mΩ

VFM

Cho'qqi oldinga kuchlanish

IFM=1000A, F=24kN

25

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.55

v

Qrr

Qaytarib olish haqi

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

Oʻzlashtirish

2500

Oʻzlashtirish

µC

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

Ikki tomonlama sovutilganOʻzlashtirishQisish kuchi 15kN

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.045

Oʻzlashtirish

°C/W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.008

fm

O'rnatish kuchi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

10

Oʻzlashtirish

20

kn

Tvj

Junction harorati

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

-40

Oʻzlashtirish

150

°C

TSTG

Saqlash harorati

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

-40

Oʻzlashtirish

160

°C

Wt

og'irligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

g

koʻrinish

ZT33dT