GD950HTX75P6HT

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 950V 750A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
Pastki o'zgarish yo'qotishlari
6μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Izolyatsiyali kopor fin asosiy plita Si orqali ishlatiladi ₃N ₄AMB texnologiya

Oddiy qoʻllanmalar

Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
Gibrid va elektr transport vositalari
Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	750	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман CN	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	950	A
Ман C	Kollektor oqimi @ T F =100 O C	450	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	1900	A
P D	Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T J = 175 O C	1162	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori voltada GE	750	V
Ман ФН	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	950	A
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	450	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	1900	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta	-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 O C		1.35	1.60	V
		Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 150 O C		1.60
		Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 175 O C		1.65
		Ман C =950A,V GE =15V, T J =25 O C		1.75
		Ман C =950A,V GE =15V, T J = 175 O C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =9.60 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	4.9	5.8	6.5	V
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =9.60 mA ,V CE = V GE , Tj=175 O C		4.1
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			0.7		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		69.1		NF
C o'qish	Chiqarish quvvati			2.31		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			1.05		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V CE =400V,I C = 450A, V GE =-8... +15V		3.29		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R g = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T J =25 O C		191		ns
T R	O'sish vaqti			83		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			543		ns
T F	Pasayish vaqti			158		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			16.8		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			20.5		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R g = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T J = 150 O C		207		ns
T R	O'sish vaqti			96		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			594		ns
T F	Pasayish vaqti			190		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			22.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			24.5		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R g = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T J = 175 O C		208		ns
T R	O'sish vaqti			103		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			613		ns
T F	Pasayish vaqti			190		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			26.7		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			26.9		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤6μs, V GE =15V,		4800		A
		T J =25 O C,V CC =400V, V MET ≤750V

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 450A,V GE =0V,T J =25 O C		1.40	1.65	V
		Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.35
		Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 75O C		1.30
		Ман F =950A,V GE =0V,T J =25 O C		1.75
		Ман F =950A,V GE =0V,T J = 1 75O C		1.75
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J =25 O C		16.4		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			222		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			4.50		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di⁄dt=4810A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J = 150 O C		32.2		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			283		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			8.19		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di⁄dt=4630A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J = 175 O C		36.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			292		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			9.03		mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		8		nH
R CC+EE	Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha		0.75		mΩ
P	Sovutish davridagi maksimal bosim cuit T asos <40 O C T asos >40 O C (nisbiy bosim)			2.5 2.0	ta
R thJF	Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Kesi-uzatish suyuqligiga (per Di oʻqilgan) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C		0.075 0.118	0.086 0.136	K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Og'irlik из Modul		750		g