GD950HTX75P6HLBT

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 950V 750A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
Pastki o'zgarish yo'qotishlari
6μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Izolyatsiyali kopor fin asosiy plita Si orqali ishlatiladi ₃N ₄AMB texnologiya

Oddiy qoʻllanmalar

Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
Gibrid va elektr transport vositalari
Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	750	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман CN	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	950	A
Ман C	kollektor oqimi @ T F =110 O C	450	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	1900	A
P D	Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T J = 175 O C	1162	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	750	V
Ман ФН	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	950	A
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	450	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	1900	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta	-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 O C		1.25	1.50	V
		Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 150 O C		1.35
		Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 175 O C		1.40
		Ман C =950A,V GE =15V, T J =25 O C		1.60
		Ман C =950A,V GE =15V, T J = 175 O C		2.05
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =9.60 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.0	5.7	7.0	V
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =9.60 mA ,V CE = V GE , T J = 175 O C		3.5		V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			0.7		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		42.1		NF
C o'qish	Chiqarish quvvati			1.80		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			1.18		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V CE =400V,I C =450A, V GE =-8... +15V		3.01		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R g = 2,4Ω, L s = 24 nH V GE =-8V/+15V, T J =25 O C		126		ns
T R	O'sish vaqti			62		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			639		ns
T F	Pasayish vaqti			149		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			17.3		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			25.4		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R g = 2,4Ω, L s = 24 nH V GE =-8V/+15V, T J = 150 O C		136		ns
T R	O'sish vaqti			68		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			715		ns
T F	Pasayish vaqti			221		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			22.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			31.0		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R g = 2,4Ω, L s = 24 nH V GE =-8V/+15V, T J = 175 O C		138		ns
T R	O'sish vaqti			68		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			739		ns
T F	Pasayish vaqti			227		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			24.8		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			32.6		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤6μs, V GE =15V,		5100		A
		T J =25 O C,V CC =400V, V MET ≤750V
		T P ≤3μs, V GE =15V, T J = 175 O C,V CC =400V, V MET ≤750V		3800

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 450A,V GE =0V,T J =25 O C		1.40	1.65	V
		Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.35
		Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 75O C		1.30
		Ман F =950A,V GE =0V,T J =25 O C		1.75
		Ман F =950A,V GE =0V,T J = 1 75O C		1.75
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di⁄dt=7070A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J =25 O C		16.0		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			254		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			5.03		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di⁄dt=6150A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J = 150 O C		36.0		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			320		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			9.49		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di⁄dt=6010A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J = 175 O C		40.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			338		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			10.5		mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		8		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.75		mΩ
P	Sovutish davridagi maksimal bosim cuit T asos <40 O C T asos >40 O C (nisbiy bosim)			2.5 2.0	ta
R thJF	Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT ) Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C		0.075 0.118	0.086 0.136	K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Og'irlik из Modul		750		g