GD800HFX120C6HA,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =100 O C

800

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1600

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

5172

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

800

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1600

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =800A,V GE =15V, T J =25 O C

1.95

2.40

V

Ман C =800A,V GE =15V, T J = 125 O C

2.30

Ман C =800A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.40

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =24.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

62.1

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.74

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

4.66

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =800A, R g =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,T J =25 O C

266

ns

T R

O'sish vaqti

98

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

394

ns

T F

Pasayish vaqti

201

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

108

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

73.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =800A, R g =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,T J = 125 O C

280

ns

T R

O'sish vaqti

115

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

435

ns

T F

Pasayish vaqti

275

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

153

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

91.3

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =800A, R g =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,T J = 150 O C

282

ns

T R

O'sish vaqti

117

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

446

ns

T F

Pasayish vaqti

290

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

165

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

94.4

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =800A,V GE =0V,T J =25 O C

2.00

2.45

V

Ман F =800A,V GE =0V,T J = 1 25O C

2.15

Ман F =800A,V GE =0V,T J = 1 50O C

2.20

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE = 15V, L s =40 nH ,T J =25 O C

48.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

264

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

18.0

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V, L s =40 nH ,T J = 125 O C

95.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

291

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

35.3

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE = 15V, L s =40 nH ,T J = 150 O C

107

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

293

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

38.5

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.029 0.050

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

350

g